电容值：100pF
　　容差：±5%
　　额定电压：100V
　　介质材料：C0G（NP0）
　　封装类型：1812（4.5mm x 3.2mm）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电阻：10,000MΩ min
　　额定电流：无极性

SH18N104Z101CT采用了C0G（NP0）介质材料，具有极高的温度稳定性，其电容值随温度变化非常小，适合用于高精度电路中。该电容器还具备优异的高频特性，能够有效降低高频噪声，提升电路的稳定性。
　　此外，SH18N104Z101CT采用了表面贴装封装技术，适用于自动化贴片工艺，提高了生产效率并减少了电路板空间占用。其高耐压能力（100V）使其能够在较高电压环境下稳定工作，适用于多种电源管理与信号处理电路。
　　由于其低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），这款电容器在高频去耦和滤波应用中表现出色，能够快速响应电压波动，保持电源系统的稳定性。同时，其良好的温度特性确保了在极端工作环境下依然能够维持性能稳定。

SH18N104Z101CT广泛应用于通信设备、工业控制、电源管理系统、汽车电子以及消费类电子产品中。在这些应用中，它常用于电源去耦、信号滤波、谐振电路、时钟电路以及射频（RF）电路中的匹配网络。
　　在汽车电子领域，该电容器可用于车载电源系统、ECU（电子控制单元）、传感器模块以及车载娱乐系统中，以提高系统的稳定性和抗干扰能力。在工业控制设备中，SH18N104Z101CT常用于PLC（可编程逻辑控制器）、变频器、伺服驱动器等设备的电源滤波与去耦电路中。

TDK C0805C104J1GACTU
　　KEMET C0805CG104JCGACTU
　　Vishay VJ0805Y104JXSC
　　Yageo CC0805JG104J
　　Murata GRM188R71H104KA01D