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RS-06K1153FT 发布时间 时间:2025/5/16 12:24:33 查看 阅读:9

RS-06K1153FT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高效率的特点,能够在高频工作条件下保持良好的性能。
  该器件为 N 沟道增强型场效应晶体管,通过优化设计以降低开关损耗,并提升整体系统效率。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:11.5A
  导通电阻:4mΩ
  栅极电荷:15nC
  总电容:120pF
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃

特性

RS-06K1153FT 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),从而减少传导损耗并提高整体效率。
  2. 快速开关速度,适用于高频应用场合。
  3. 高雪崩击穿能量能力,增强了器件的鲁棒性和可靠性。
  4. 小尺寸封装,便于 PCB 布局和节省空间。
  5. 提供卓越的热性能,确保在高温环境下稳定运行。
  6. 内置静电保护功能,防止 ESD 损坏。
  7. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。

应用

RS-06K1153FT 广泛应用于多种电力电子领域:
  1. 开关电源适配器和充电器。
  2. DC-DC 转换器及 POL 转换模块。
  3. 各类电机驱动电路。
  4. 工业控制设备中的功率管理单元。
  5. 电动工具、家用电器中的功率调节系统。
  6. 新能源领域如太阳能逆变器和储能系统的功率转换部分。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5800
  STP11NK60Z

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