时间：2025/9/14 0:17:02
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PMEG045T100EPEZ是一款由Nexperia（安世半导体）生产的功率MOSFET，采用Trench MOSFET技术，适用于各种电源管理与功率转换应用。该器件具有低导通电阻、高开关速度以及良好的热性能，能够提供高效、稳定的功率输出。其封装形式为TSOP（Thin Small Outline Package），便于在紧凑的PCB设计中使用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100V
最大漏极电流（Id）：4.5A
导通电阻（Rds(on)）：260mΩ（典型值）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：1.4V至3V
功率耗散（Ptot）：1.4W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TSOP
PMEG045T100EPEZ具备多项优良特性，首先是其低导通电阻（Rds(on)），有助于降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件采用Trench MOSFET技术，提供了更高的电流密度和更低的开关损耗，适合高频开关应用。此外，其高耐压能力（100V Vds）使其适用于多种中高功率应用场景，如DC-DC转换器、负载开关和电机控制。TSOP封装不仅节省空间，还具有良好的热管理能力，有助于提升器件在高负载条件下的稳定性。
该MOSFET具有较快的开关速度，可有效减少开关过程中的能量损失，提高整体系统效率。同时，其栅极阈值电压范围较宽（1.4V至3V），使得该器件能够兼容多种驱动电路设计，包括低电压微控制器驱动。此外，PMEG045T100EPEZ在高温环境下仍能保持稳定性能，适合工业级和汽车电子应用中对可靠性和稳定性要求较高的场景。
PMEG045T100EPEZ广泛应用于多个领域，包括但不限于：电源管理系统，如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关；工业控制设备，如PLC、传感器和执行器驱动；消费类电子产品，如笔记本电脑、平板电脑和智能家电；以及车载电子系统，例如车载充电器、电池管理系统和车载信息娱乐系统。由于其高效率和紧凑封装，该器件也非常适合空间受限的便携式设备和高密度PCB布局的设计需求。
Si2302DS, AO3400A, IRLL1004, FDN340P, BSS138K
