时间：2025/7/9 23:05:06
阅读：11
SH18B681K500CT是一款高性能的MOSFET功率晶体管，主要用于开关和放大应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特性，适合于各种电源管理、电机驱动以及工业控制领域。
型号：SH18B681K500CT
类型：N-Channel MOSFET
封装形式：TO-247
最大漏源电压(Vds)：650V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：50A
导通电阻(Rds(on))：0.035Ω
总功耗(Ptot)：300W
工作温度范围：-55℃ to 150℃
SH18B68B1K500CT具备出色的电气性能，其低导通电阻显著降低了功率损耗，提高了系统效率。同时，该器件拥有良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的性能。
此外，快速开关能力使得该MOSFET适用于高频应用场景，如开关电源(SMPS)和DC-DC转换器等。器件还采用了坚固耐用的TO-247封装，便于散热并提供可靠的机械连接。
在保护功能方面，SH18B681K500CT内置过流保护和短路耐受能力，提升了整体系统的安全性与可靠性。
SH18B681K500CT广泛应用于各类功率电子设备中，包括但不限于以下领域：
- 开关电源(Switch Mode Power Supply, SMPS)
- DC-DC转换器
- 电机驱动及控制
- 工业自动化设备
- 太阳能逆变器
- 电动汽车充电系统
其高电压和大电流处理能力使其特别适合于需要高效功率转换和稳定运行的场合。
IRFP250N
FDP5800
STP50NF06L
