时间：2025/6/21 17:28:52
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SH18B473K250CT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等领域。该芯片采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，能够有效降低功耗并提高系统效率。
该器件属于 N 沟道增强型 MOSFET，适用于高电流和高电压应用场景，支持高频开关操作。
最大漏源电压：250V
连续漏极电流：47A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：120nC
输入电容：1600pF
开关速度：10ns
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
SH18B473K250CT 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提升整体效率。
2. 快速的开关性能，适合高频应用环境。
3. 高电流承载能力，能够在高负载条件下稳定运行。
4. 优异的热稳定性，确保在极端温度范围内正常工作。
5. 提供强大的 ESD 和雪崩保护功能，增强器件的可靠性。
6. 小巧的封装设计，便于 PCB 布局优化。
该芯片广泛用于多种电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)。
2. 电机驱动与控制电路。
3. 逆变器和 UPS 系统。
4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
5. 新能源汽车中的电池管理系统 (BMS) 和 DC-DC 变换器。
6. 高效 LED 驱动器以及太阳能微逆变器等新能源相关产品。
IRFP250N, FDP077N25A, STP47N25KM5
