时间：2025/8/8 18:37:19
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81C4256-10是一款由Intel生产的高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片，容量为256K位（32K x 8），采用高速CMOS工艺制造，适用于需要快速数据存取的应用场景。该芯片广泛用于工业控制、通信设备和嵌入式系统中。
容量：256K位（32K x 8）
电源电压：5V
访问时间：10ns
封装类型：TSOP、PLCC、DIP
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）或商业级（0°C至70°C）
接口类型：并行
功耗：典型值为120mA（待机模式下低至10mA）
数据保持电压：最小2V
最大时钟频率：无时钟设计（异步SRAM）
81C4256-10 SRAM芯片具备高速存取能力，访问时间仅为10ns，适用于对性能要求较高的系统。该芯片采用CMOS工艺制造，具备低功耗特性，在待机状态下功耗极低。81C4256-10提供多种封装形式，包括TSOP、PLCC和DIP，便于不同应用环境下的安装与布局。其宽广的工作温度范围支持工业级应用，确保在严苛环境下仍能稳定运行。此外，该芯片具备良好的数据保持能力，在电源电压降至2V时仍可维持数据不丢失，适用于需要电池备份的应用场景。由于其异步接口设计，无需外部时钟信号，简化了电路设计并降低了系统复杂度。
81C4256-10 SRAM芯片常用于工业控制系统、通信设备、网络路由器、测试仪器、嵌入式系统以及需要高速缓存的微控制器系统中。其高速与低功耗特性也使其适用于便携式设备和数据采集系统。
CY62148EVLL-10ZSXI-TR, IDT71V424SA10PFG, IS61LV25616AL-10B4
