时间：2025/7/5 5:00:37
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SH18B222K100CT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。该芯片具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，能够在高频工作条件下保持高效的能量转换。
型号：SH18B222K100CT
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压：100V
最大连续漏极电流：22A
导通电阻：3.5mΩ（典型值）
栅极电荷：46nC（典型值）
总电容：1450pF（典型值）
功耗：240W
封装形式：TO-247
SH18B222K100CT 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，能够有效降低导通损耗。
2. 快速的开关速度，适合高频应用场合。
3. 高耐压能力，确保在高压环境下稳定运行。
4. 出色的热稳定性，即使在高负载条件下也能保持较低的工作温度。
5. 紧凑型封装设计，便于安装和散热管理。
SH18B222K100CT 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），包括AC-DC适配器和充电器。
2. 电机驱动系统，如家用电器中的无刷直流电机控制。
3. 太阳能逆变器和不间断电源（UPS）。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 电动车及混合动力车的电池管理系统（BMS）。
IRF840, FQP19N10
