时间：2025/8/2 5:47:02
阅读：14
DMN2024UFDF-7是一款由Diodes公司生产的P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用小型DFN1006（双扁平无引脚）封装，适用于需要高效率和低功耗设计的电源管理系统。该器件具有低导通电阻、高可靠性以及良好的热稳定性，广泛应用于便携式电子产品、电池供电设备、负载开关以及DC-DC转换器等领域。
类型：P沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：-20V
最大栅源电压（Vgs）：±12V
最大连续漏极电流（Id）：-400mA @ Vgs = -4.5V
导通电阻（Rds(on)）：320mΩ @ Vgs = -4.5V，220mΩ @ Vgs = -2.5V
功率耗散：300mW
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装：DFN1006 (2x2 mm)
DMN2024UFDF-7具有多项优异特性，使其在低压功率管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。在Vgs为-4.5V时，Rds(on)仅为320mΩ，而在Vgs为-2.5V时，该值进一步降低至220mΩ，这使得该MOSFET适用于低电压驱动设计，如由电池供电的设备。
其次，该器件采用DFN1006封装，尺寸小巧（2mm x 2mm），有助于节省PCB空间，适用于高密度电路设计。该封装还具有良好的热性能，能够有效散热，提升器件在高负载条件下的稳定性。
此外，DMN2024UFDF-7的额定漏极电流为-400mA，足以应对多种低功率开关应用，例如电源管理中的负载开关或信号路径控制。其最大漏源电压为-20V，提供了良好的电压裕量，能够承受瞬态电压波动，增强系统可靠性。
该MOSFET还具有±12V的栅源电压耐受能力，使其在不同驱动条件下具有较高的灵活性和兼容性。同时，其工作温度范围为-55°C至150°C，适用于宽温度范围内的工业级应用，确保在各种环境条件下稳定运行。
DMN2024UFDF-7适用于多种低电压功率管理应用。其典型应用包括便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的电源管理、电池保护电路、DC-DC转换器、负载开关以及电源路径管理。此外，它还可用于工业控制系统、传感器模块、低功耗物联网（IoT）设备以及各种需要高效功率控制的嵌入式系统中。
Si2301DS, DMN2026UFDF-7, BSS84
