时间：2025/6/28 11:47:03
阅读：4
SH18B104K101CT 是一款由半导体制造商生产的高压功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性。它适用于需要高效功率转换和开关的应用场景，如开关电源、电机驱动、逆变器等。其封装形式为 TO-220，适合表面贴装和插件安装，提供良好的散热性能。
SH18B104K101CT 的设计重点在于优化开关损耗和导通损耗之间的平衡，同时具备出色的热稳定性和可靠性，确保在严苛的工作条件下仍能保持高性能。
型号：SH18B104K101CT
类型：N沟道 MOSFET
VDS（漏源电压）：1000V
RDS(on)（导通电阻）：0.15Ω
ID（连续漏极电流）：16A
Qg（栅极电荷）：55nC
fsw（最大开关频率）：100kHz
封装：TO-220
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
SH18B104K101CT 具有以下显著特性：
1. 高耐压能力，能够承受高达 1000V 的漏源电压，适用于高压应用场景。
2. 导通电阻低至 0.15Ω，在高电流应用中减少功耗。
3. 快速开关特性，支持高达 100kHz 的开关频率，降低开关损耗。
4. 栅极电荷小，可有效减少驱动功耗。
5. 热稳定性好，能够在极端温度范围内可靠运行。
6. 封装形式为 TO-220，具备良好的散热性能，便于集成到各种功率系统中。
SH18B104K101CT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），用于高效 DC-DC 和 AC-DC 转换。
2. 电机驱动，控制电机的速度和方向。
3. 逆变器电路，将直流电转换为交流电。
4. PFC（功率因数校正）电路，提高功率系统的效率。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 电动汽车和混合动力汽车的电池管理系统（BMS）以及电机控制器。
7. LED 驱动器，实现大功率 LED 的精确控制。
IRFP460,
FQP16N100,
STP16NF10,
IXFN16N100T2
