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H9CKNNNBKTMTDR-NTH 发布时间 时间:2025/9/2 0:43:41 查看 阅读:6

H9CKNNNBKTMTDR-NTH 是由SK Hynix(海力士)生产的一款高性能DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该型号属于LPDDR4(低功耗双倍数据速率第四代)系列,专为移动设备和高性能计算应用设计,提供大容量存储和低功耗特性。

参数

类型:LPDDR4 SDRAM
  容量:8GB(64Gb)
  封装:BGA
  频率:3200Mbps
  电压:1.1V
  数据宽度:16位
  温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)

特性

H9CKNNNBKTMTDR-NTH 提供出色的性能和能效,适用于高端智能手机、平板电脑、嵌入式系统和便携式计算设备。其主要特性包括高数据传输速率、低功耗设计、紧凑的封装尺寸以及优异的热稳定性。
  此外,该芯片支持先进的内存管理功能,如自动刷新、自刷新和深度掉电模式,有助于延长设备电池寿命并提高系统稳定性。
  LPDDR4架构的改进使其在数据带宽方面较前代产品有显著提升,同时降低了功耗,满足现代移动设备对高性能与低功耗的双重需求。
  该芯片还具备良好的兼容性,可与多种处理器平台配合使用,如ARM架构的SoC(系统级芯片)。

应用

H9CKNNNBKTMTDR-NTH 主要应用于高端智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、车载信息娱乐系统(IVI)、增强现实(AR)/虚拟现实(VR)设备以及高性能嵌入式计算平台。其低功耗、高带宽和紧凑封装的特性使其成为移动和便携设备的理想选择。

替代型号

H9HKNNNCAWMUMR-NTH, H9HKNNNCEWMUMR-NTH

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