时间：2025/7/7 15:10:43
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SH15N100J500CT 是一款高压、高功率的 N 沟道 MOSFET，专为需要高效开关和低导通损耗的应用而设计。该器件采用先进的硅工艺制造，具有出色的耐热性和可靠性，适用于工业、汽车及电源转换等应用领域。
该型号主要针对高频开关场景优化，能够有效降低开关损耗并提高系统效率。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：15A
导通电阻（典型值）：4.2mΩ
栅极电荷：39nC
开关时间：ton=16ns, toff=32ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
SH15N100J500CT 具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，在大电流条件下提供高效的性能。
2. 优化的栅极电荷设计，可实现快速开关，从而减少开关损耗。
3. 耐雪崩能力增强，提高了在异常情况下的鲁棒性。
4. 高工作温度范围，确保其在极端环境中的稳定性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且支持多种表面贴装封装技术。
这款 MOSFET 广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电动机驱动和逆变器电路。
3. 太阳能逆变器及储能系统的功率控制模块切换。
5. 汽车电子中的电池管理系统 (BMS) 和电机控制器。
6. UPS 不间断电源系统。
IRFZ44N, FQP16N10, STP15NF10
