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SH15N100J500CT 发布时间 时间:2025/7/7 15:10:43 查看 阅读:11

SH15N100J500CT 是一款高压、高功率的 N 沟道 MOSFET,专为需要高效开关和低导通损耗的应用而设计。该器件采用先进的硅工艺制造,具有出色的耐热性和可靠性,适用于工业、汽车及电源转换等应用领域。
  该型号主要针对高频开关场景优化,能够有效降低开关损耗并提高系统效率。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:15A
  导通电阻(典型值):4.2mΩ
  栅极电荷:39nC
  开关时间:ton=16ns, toff=32ns
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

SH15N100J500CT 具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),在大电流条件下提供高效的性能。
  2. 优化的栅极电荷设计,可实现快速开关,从而减少开关损耗。
  3. 耐雪崩能力增强,提高了在异常情况下的鲁棒性。
  4. 高工作温度范围,确保其在极端环境中的稳定性。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且支持多种表面贴装封装技术。

应用

这款 MOSFET 广泛应用于各种电力电子领域,包括但不限于:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 电动机驱动和逆变器电路。
  3. 太阳能逆变器及储能系统的功率控制模块切换。
  5. 汽车电子中的电池管理系统 (BMS) 和电机控制器。
  6. UPS 不间断电源系统。

替代型号

IRFZ44N, FQP16N10, STP15NF10

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