SGSP382 时间：2025/7/23 5:27:24 阅读：3

SGSP382 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率功率转换和开关应用。该器件采用先进的沟槽栅极和电场优化技术，提供优异的导通电阻和开关性能，适用于汽车电子、工业控制和电源管理系统等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：80A
　　最大漏源电压：60V
　　导通电阻（Rds(on)）：11.5mΩ
　　栅极电荷：95nC
　　封装类型：PowerFLAT 5x6
　　工作温度范围：-55°C至175°C

特性

SGSP382 的关键特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），仅为11.5毫欧，这使得器件在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高系统的整体效率。此外，该器件的最大漏极电流可达80A，支持在高负载条件下稳定运行。
　　SGSP382 采用 PowerFLAT 5x6 封装，具有较小的封装尺寸和良好的热管理能力，适用于紧凑型电路设计。其工作温度范围为-55°C至175°C，适用于严苛的工业和汽车环境。
　　该MOSFET的栅极电荷为95nC，具有较快的开关速度，从而减少开关损耗并提高系统的响应能力。此外，SGSP382 内部集成了雪崩能量保护功能，提高了器件在高压瞬态条件下的可靠性和耐用性。
　　SGSP382 还具备高短路耐受能力，能够在极端工作条件下提供额外的安全保障。这些特性使得该器件在DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统和车载充电系统等应用中表现出色。

应用

SGSP382 主要应用于需要高效功率管理的系统中。在汽车电子领域，该器件常用于车载DC-DC转换器、电动助力转向系统（EPS）和电池管理系统（BMS）中，提供高效的能量转换和稳定的电流控制。在工业控制方面，SGSP382 可用于电机驱动器、伺服控制系统和工业电源模块，确保设备在高负载条件下的稳定运行。
　　此外，SGSP382 也广泛应用于新能源系统，如太阳能逆变器和储能系统，用于实现高效的能量转换和管理。在消费类电子产品中，SGSP382 可用于高性能电源适配器、快速充电设备以及高功率LED照明系统，提供可靠的功率开关功能。