类型: LDMOS FET
　　最大漏极电流: 1.8 A
　　最大漏极-源极电压: 65 V
　　最大栅极-源极电压: ±20 V
　　频率范围: 1.8 MHz - 500 MHz
　　输出功率: 28 W
　　增益: 17 dB
　　封装类型: SMD
　　工作温度范围: -55°C to +150°C

TMSB 2-283是一款专为高功率放大器设计的LDMOS场效应晶体管，具有优异的热稳定性和可靠性。其宽频率范围使其适用于多种射频应用，包括广播发射机、通信基础设施和测试设备。该晶体管在UHF和VHF频段内表现出色，能够提供高达28W的连续波（CW）输出功率，并且具备17dB的高增益，确保信号放大的稳定性和效率。TMSB 2-283采用先进的LDMOS技术，能够在高电压条件下保持良好的线性度和效率，减少失真并提高系统性能。此外，该器件的SMD封装设计支持自动化生产，简化了电路板的组装过程，并有助于降低制造成本。由于其出色的热管理能力，TMSB 2-283能够在严苛环境下稳定运行，适用于需要高可靠性的工业和通信设备。该晶体管还具备良好的抗静电和过热保护特性，确保在高功率操作下的长期稳定性。
　　TMSB 2-283的栅极-源极电压范围为±20V，漏极-源极电压可达65V，漏极电流最大为1.8A，适合用于多种高功率放大器设计。其紧凑的SMD封装不仅节省空间，还提升了高频性能，减少了寄生效应，从而优化了整体电路设计。该晶体管的高效率和高线性度使其成为广播发射机、无线通信基站以及测试与测量设备中理想的功率放大元件。

TMSB 2-283主要应用于广播发射机、无线通信基站、测试与测量设备、工业加热设备以及高功率射频放大器设计。该晶体管特别适用于需要高输出功率和高效率的UHF和VHF频段应用。

TMSB 2-283的替代型号包括TMSB 2-285、TMSB 2-383、TMSB 2-583、BLF177和RD16HHF1。这些晶体管在输出功率、频率范围和封装形式上与TMSB 2-283相似，适用于相同的射频功率放大应用。