时间：2025/8/25 1:22:47
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SGR20N40LT 是一款由Silan（士兰微电子）生产的N沟道功率MOSFET。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动等高功率场合。SGR20N40LT采用TO-220封装，具备低导通电阻、高耐压和大电流承载能力，能够在高温环境下稳定工作。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：400V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：20A（Tc=25℃）
导通电阻(Rds(on))：≤0.18Ω @ Vgs=10V
工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
封装形式：TO-220
功率耗散(Pd)：83W
漏极功耗(Pd)：83W
SGR20N40LT 具备优异的电气性能和热稳定性。其导通电阻较低，有助于减少功率损耗，提高系统效率。该器件采用先进的沟槽技术制造，确保了良好的开关特性，适用于高频开关应用。此外，SGR20N40LT具有良好的抗雪崩能力和高耐用性，能够承受较高的瞬态电压和电流冲击。其TO-220封装设计有助于快速散热，保证在高功率工作状态下的可靠性。
SGR20N40LT还具有良好的栅极驱动兼容性，支持常见的PWM控制电路，适用于多种功率转换拓扑结构，如Buck、Boost、Half-Bridge和Full-Bridge等。其低栅极电荷（Qg）特性有助于降低驱动损耗，提高系统响应速度。此外，该器件的漏源极之间具备较高的击穿电压（BVdss）和良好的温度稳定性，可在高温环境下稳定运行。
SGR20N40LT 主要用于各种功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、UPS不间断电源、电动工具、电机驱动器、LED照明电源、工业自动化设备以及新能源系统（如光伏逆变器、储能系统）等。由于其高耐压、大电流和低导通电阻特性，SGR20N40LT特别适合用于需要高效能和高可靠性的功率转换电路。
IRF20N40C, STF20N40, FQA20N40, FDPF20N40
