时间：2025/5/10 15:29:25
阅读：3
LQG15HS3N3S02D 是一款由罗姆（ROHM）生产的高耐压、低导通电阻的 N 沟道功率 MOSFET，采用 LFPAK33 封装形式。该芯片主要应用于需要高效率和小尺寸解决方案的场景，例如电源管理模块、DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等。其出色的导通特性和热性能使其在各种工业和消费电子应用中表现出色。
该器件具有高可靠性和稳定性，能够承受较高的电压，并保持较低的导通电阻以减少功率损耗。同时，LFPAK33 封装有助于提高散热效率，非常适合紧凑型设计。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：7.8A
导通电阻：2.4mΩ
栅极电荷：19nC
工作结温范围：-55℃ to +175℃
封装形式：LFPAK33
LQG15HS3N3S02D 具有以下显著特点：
1. 高耐压能力：能够承受高达 60V 的漏源电压，适用于多种高压应用场景。
2. 极低导通电阻：仅为 2.4mΩ，可以有效降低导通损耗并提升系统效率。
3. 快速开关性能：栅极电荷低至 19nC，支持高频开关操作，适合用于 DC-DC 转换器。
4. 高可靠性：工作结温范围广（-55℃ 至 +175℃），适应恶劣环境条件。
5. 小型化封装：LFPAK33 封装不仅节省空间，还具备良好的散热性能。
6. 符合 RoHS 标准：环保无铅设计，满足全球法规要求。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 电源管理系统：包括适配器、充电器及便携式设备中的电源管理。
2. DC-DC 转换器：用作同步整流或主开关管以提高转换效率。
3. 电机驱动：适用于小型直流电机和步进电机控制。
4. 开关电路：可用于负载开关和保护电路，提供高效可靠的切换功能。
5. 工业自动化设备：如传感器接口和驱动电路。
6. 消费类电子产品：如笔记本电脑、平板电脑及其他便携式设备的功率管理部分。
LQG15HS4N3S02D, LQG15HS5N3S02D
