时间：2025/12/25 17:36:05
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SGR-8002JC-STC是一款由Silan（士兰微电子）生产的N沟道增强型MOS场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及开关电源等电路中。该器件采用高密度工艺制造，具备优良的导通电阻和开关特性，适用于中低功率场景下的高效能需求。SGR-8002JC-STC封装形式为SOT-23，属于小型表面贴装封装，适合高密度PCB布局设计，是便携式电子产品和消费类电器中的理想选择之一。其引脚排列符合标准三极管结构，便于替换和兼容设计。由于其良好的热稳定性和电气性能，该型号在工业控制、通信设备及家用电器等领域均有广泛应用。
类型：N沟道MOSFET
封装/外壳：SOT-23
极性：N-Channel
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：5.4A @ 25℃
脉冲漏极电流（Idm）：17A
导通电阻（Rds(on)）：17mΩ @ Vgs=4.5V
导通电阻（Rds(on)）：20mΩ @ Vgs=2.5V
阈值电压（Vgs(th)）：0.6V ~ 1.2V
输入电容（Ciss）：450pF @ Vds=10V
输出电容（Coss）：130pF @ Vds=10V
反向传输电容（Crss）：35pF @ Vds=10V
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
功率耗散（Pd）：1W
SGR-8002JC-STC具有优异的导通性能与快速开关响应能力，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在大电流通过时仍能保持较低的功耗，从而提升了系统整体效率并减少散热压力。该器件在Vgs=4.5V条件下可实现低至17mΩ的Rds(on)，即使在Vgs=2.5V的低压驱动环境下也能维持20mΩ的低阻状态，展现出良好的栅极驱动兼容性，特别适用于由逻辑电平信号直接驱动的应用场合，如微控制器IO口控制或电池供电设备中的开关控制。
该MOSFET采用了先进的沟槽式工艺技术，增强了载流子迁移率，提高了单位面积的电流承载能力。同时，优化的芯片结构有效降低了寄生参数，如输入电容和反向传输电容，有助于减小开关过程中的能量损耗，并提升高频工作的稳定性。此外，其较小的阈值电压范围（0.6V~1.2V）使得器件能够在较低的栅极电压下开启，进一步增强了在低电压系统中的适用性。
SOT-23封装不仅体积小巧，节省PCB空间，还具备良好的热传导性能，在合理布局下可通过PCB铜箔进行有效散热。器件的工作结温可达+150℃，支持宽温环境下的可靠运行，适用于工业级应用需求。所有参数均经过严格测试，符合RoHS环保标准，适用于无铅回流焊工艺，满足现代电子产品对绿色环保和高可靠性的一致要求。
SGR-8002JC-STC常用于各类中小功率开关电路中，典型应用场景包括但不限于：便携式电子设备的电源开关控制，例如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等产品的负载开关模块；电池管理系统（BMS）中的充放电通路控制，用于实现过流保护与电源路径管理；DC-DC升压或降压转换器中的同步整流器件，以提高转换效率；LED驱动电路中的恒流控制开关；以及各类家用电器控制板上的继电器替代方案，实现固态开关功能，降低噪声与机械磨损。
在电机驱动领域，该器件可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，作为低端或高端开关使用，配合PWM信号实现调速控制。由于其快速的开关响应能力和较低的导通压降，能够显著减少发热并提升驱动效率。此外，在通信模块、传感器供电控制、USB电源开关等需要精确电源管理的场合，SGR-8002JC-STC也表现出良好的适应性，尤其适合需要频繁启停或动态电源调节的设计。
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"SGM2002C",
"AOV8002A",
"DMG8002A",
"FS8002B",
"Si2302DS"
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