时间：2025/8/9 15:49:05
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2SK2895-01是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高频开关应用。该器件采用先进的沟槽式工艺，提供低导通电阻（RDS(on)）和高开关速度，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统等场合。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：30V
最大漏极电流（ID）：60A（在VGS=10V时）
导通电阻（RDS(on)）：1.8mΩ（典型值，VGS=10V）
栅极阈值电压（VGS(th)）：1V至2.5V
最大功耗（PD）：100W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-220
极数：3（漏极、栅极、源极）
2SK2895-01具有多项出色的电气和物理特性，使其适用于高效率功率转换应用。
首先，该MOSFET采用了先进的沟槽结构技术，使导通电阻（RDS(on)）非常低，典型值为1.8mΩ。这种低导通电阻有助于降低导通损耗，提高电源转换效率，特别适用于高电流应用场景，如DC-DC转换器和电机驱动器。
其次，2SK2895-01支持高达60A的漏极电流，这使其适用于高功率负载的控制。此外，其最大漏源电压为30V，适用于低压高电流的电源系统，如笔记本电脑电源管理、服务器电源系统和电池供电设备。
栅极阈值电压范围为1V至2.5V，确保MOSFET可以在较低的控制电压下正常工作，提高了与逻辑电路的兼容性。该特性使得该器件能够被广泛用于由微控制器或数字电源控制器驱动的场合。
其TO-220封装形式具有良好的热管理和机械稳定性，适合需要高可靠性和散热能力的应用。该封装便于安装在散热片上，从而有效降低结温，提升器件的稳定性和使用寿命。
此外，该MOSFET的工作温度范围较宽，可在-55°C至+175°C之间稳定运行，适用于工业级和汽车电子等严苛环境下的应用。
总体而言，2SK2895-01以其低导通电阻、高电流能力、优异的热性能和广泛的工作温度范围，成为高频开关电源、负载开关和电池管理系统等领域的理想选择。
2SK2895-01广泛应用于多种功率电子系统中。在电源管理方面，它常用于同步整流型DC-DC转换器和负载开关，以提高系统效率和稳定性。由于其高电流处理能力和低导通电阻，它也适用于电动工具、无刷直流电机驱动器和电池管理系统（BMS）中的功率开关。此外，该器件还被用于服务器和通信设备的电源模块，以及工业自动化设备中的高频率开关电路。由于其宽温度范围和良好的热管理能力，它也适用于车载电子系统，如车载充电器、启动辅助系统和车载DC-DC变换器。
Si7460DP, IRF1405, FDS6680, 2SK3084
