型号：SGR-8002JC-PHB
　　类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：-30V
　　最大连续漏极电流(ID)：-10A（@TC=25℃）
　　最大脉冲漏极电流(IDM)：-28A
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　导通电阻(RDS(on))：20mΩ（@VGS=-10V, ID=-10A）
　　导通电阻(RDS(on))：25mΩ（@VGS=-4.5V, ID=-9A）
　　栅极电荷(Qg)：16nC（@VGS=10V）
　　输入电容(Ciss)：980pF（@VDS=15V）
　　反向恢复时间(trr)：典型值30ns
　　开启延迟时间(tdon)：15ns
　　关断延迟时间(tdoff)：35ns
　　工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围(Tstg)：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：PDFN3.3×3.3-8L
　　安装方式：表面贴装

SGR-8002JC-PHB采用了先进的沟槽型P沟道MOSFET工艺，在保证高功率密度的同时实现了极低的导通电阻，显著降低了在大电流条件下的导通损耗，提高了系统的整体能效。其RDS(on)在VGS=-10V时仅为20mΩ，在VGS=-4.5V时也仅达到25mΩ，表明该器件即使在较低的逻辑电平驱动下仍能保持出色的导通性能，适用于3.3V或5V供电系统的直接驱动应用。这种低阈值驱动能力使得它能够与常见的控制器或GPIO引脚直接接口，无需额外的驱动IC，从而简化了外围电路设计。
　　该器件具有优异的开关速度，得益于较低的栅极电荷（Qg=16nC）和输入电容（Ciss=980pF），使其在高频开关应用中表现出色，减少了开关过程中的能量损耗。同时，较短的开启和关断延迟时间（分别为15ns和35ns）有助于提高系统的动态响应能力，特别适合用于快速启停的电源管理场合，如热插拔控制或负载切换。此外，其反向恢复时间较短（trr≈30ns），可有效降低体二极管反向恢复带来的尖峰电流和电磁干扰问题，提升系统稳定性。
　　SGR-8002JC-PHB采用PDFN3.3×3.3-8L封装，底部带有散热焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量高效传导至地层或散热层，极大提升了器件的热 Dissipation 能力，支持长时间大电流工作而不发生热失效。该封装无铅且符合RoHS标准，适用于自动化贴片生产流程。器件的工作结温范围为-55℃至+150℃，具备良好的高温工作能力和长期可靠性，可在工业环境甚至部分汽车电子应用场景中使用。整体设计兼顾了性能、尺寸与可靠性，是现代高集成度电源系统中理想的功率开关选择。

SGR-8002JC-PHB广泛应用于各类需要高效、紧凑型P沟道MOSFET的电源管理系统中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品中的电池电源开关，例如智能手机和平板电脑中用于控制主电源通断的高边开关，能够在系统待机或关机时彻底切断负载供电，减少静态功耗，延长续航时间。此外，该器件也常用于USB接口的电源管理模块，作为过流保护和热插拔控制的核心元件，防止因外部设备短路或异常接入导致系统损坏。
　　在移动电源（Power Bank）设计中，SGR-8002JC-PHB可用于输出端的负载开关控制，实现自动识别负载并开启输出的功能，同时在空载时关闭以节省能耗。其低导通电阻特性也有助于减小发热，提高转换效率。在DC-DC降压或升压电源模块中，该器件可作为同步整流开关或辅助开关使用，尤其适用于输入电压较低（如3V~5V）的应用场景。
　　工业控制领域中，该MOSFET可用于PLC模块、传感器供电控制、继电器驱动电路中的电源通断管理。由于其具备较强的抗冲击电流能力（IDM=-28A），也能应对电机启动或容性负载上电瞬间的大电流冲击。另外，在LED驱动电路、音频设备电源隔离、FPGA/CPU的核电压上电 sequencing 控制中也有广泛应用。得益于其小型化封装和高可靠性，SGR-8002JC-PHB非常适合用于高密度PCB布局的设计需求，是现代电子设备中不可或缺的关键功率组件之一。

SI3456EDV-T1-E3
　　APM2302WU-7
　　DMG2302UKS-7
　　FDN360P