时间：2025/8/25 7:36:22
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SGP5N60RUFD 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于电源管理和功率转换领域。该器件具有高耐压、低导通电阻以及良好的热稳定性，适用于如开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等高功率应用场合。SGP5N60RUFD 采用 TO-252（DPAK）封装，适合表面贴装工艺。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：600V
栅源电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）：5A（Tc=100℃）
导通电阻（RDS(on)）：≤1.5Ω（VGS=10V）
漏极功耗（PD）：50W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装类型：TO-252（DPAK）
SGP5N60RUFD 具备多项优异的电气和热性能。首先，其高耐压能力达到 600V，使得它在高压开关应用中具有良好的稳定性和可靠性。其次，导通电阻较低（最大为 1.5Ω），有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，该器件采用 TO-252（DPAK）封装，具备良好的散热能力，适合高功率密度设计。该 MOSFET 还具有快速开关特性，适合高频开关应用。其栅极驱动电压范围较宽，可在 10V 至 20V 之间工作，提供更灵活的设计选择。
在可靠性方面，SGP5N60RUFD 设计有内置的雪崩能量保护能力，可承受一定的瞬态过电压冲击，提升系统在恶劣环境下的稳定性。此外，它具备良好的抗短路能力，适用于对系统安全性要求较高的应用场景。由于其封装形式为表面贴装型，适合自动化生产流程，降低制造成本并提高组装效率。
该器件的低门极电荷（Qg）和输出电容（Coss）有助于减少开关损耗，提高转换效率。同时，其温度系数特性良好，能够在不同温度条件下保持稳定的导通性能。
SGP5N60RUFD 广泛应用于各种功率电子系统中。例如，在开关电源（SMPS）中，它可作为主开关器件，用于高效的 DC-AC 或 DC-DC 转换。在电机驱动系统中，该 MOSFET 可用于控制直流电机或无刷电机的运行，提供高效稳定的功率输出。另外，它也适用于 LED 照明驱动、电池充电器、逆变器以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其良好的热稳定性和可靠性，SGP5N60RUFD 也常用于家电中的电源管理模块，如电磁炉、变频空调等。
在新能源领域，该器件可应用于太阳能逆变器、储能系统以及电动汽车的车载充电模块。其表面贴装封装形式也使其成为小型化电源设计的理想选择。
SGP5N60UFD, STP5N60FD, FQA5N60C, IRFBC40
