时间：2025/8/25 2:48:01
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SGP100SZ是一种常用的功率MOSFET晶体管，通常用于高功率开关和电源管理应用。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种高效率电源系统。SGP100SZ属于N沟道增强型MOSFET，封装形式通常为TO-220或TO-263（表面贴装型），便于在不同的电路设计中使用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流：100A
最大漏极-源极电压：100V
导通电阻（RDS(on)）：≤ 8.0mΩ（典型值）
栅极电荷：约 60nC
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-220、TO-263
最大功耗：约 300W
SGP100SZ具备多个关键特性，使其在电源管理和高功率开关应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。其次，该MOSFET具有较高的最大漏极电流和漏极-源极电压额定值，能够承受较大的负载和瞬态电压，适用于高功率应用场景。此外，SGP100SZ的栅极电荷较低，有助于实现快速开关，减少开关损耗，提高系统响应速度。
该器件的封装设计也十分实用，TO-220和TO-263封装形式分别适用于通孔安装和表面贴装技术，便于在不同类型的PCB布局中使用。其热阻较低，有助于有效散热，确保在高功率运行时的稳定性和可靠性。SGP100SZ还具备良好的短路耐受能力，能够在突发故障情况下提供更高的安全裕量，适用于电机驱动、DC-DC转换器、电池管理系统和工业自动化设备等对可靠性要求较高的场合。
SGP100SZ广泛应用于各种高功率电子设备和系统中，如DC-DC降压/升压转换器、电机控制器、电源供应器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统。在电动汽车和储能系统中，SGP100SZ可用于功率逆变器和充电模块，确保高效的能量转换。此外，它也常用于电源管理模块、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及高频开关电源等场景，满足高效率和高可靠性的设计需求。
IRF1404、STP100N10F7、FDP100N10A
