时间：2025/8/6 5:14:50
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IXFR90N20Q 是一款由英飞凌（Infineon Technologies）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽场效应晶体管（TrenchFET）技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力。该MOSFET适用于需要高效、高功率密度的电源应用，如DC-DC转换器、同步整流器、电机控制和负载开关等场景。
类型：N沟道
最大漏源电压（VDS）：200V
最大漏极电流（ID）：90A（在TC=25°C）
导通电阻（RDS(on)）：最大值为14.5mΩ（在VGS=10V）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V至4.0V
最大功耗（PD）：320W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-263（表面贴装）
IXFR90N20Q MOSFET采用了先进的TrenchFET技术，使其在高电压下仍能保持非常低的导通电阻，从而降低了导通损耗并提高了效率。其高电流能力和低RDS(on)特性使其非常适合用于高功率密度设计。此外，该器件具有良好的热稳定性和高可靠性，能够在恶劣的工作环境下稳定运行。
该MOSFET的封装形式为TO-263，支持表面贴装工艺，便于自动化生产并提高装配效率。同时，其高栅极绝缘能力（最高20V栅极电压耐受）增强了器件在高频开关应用中的稳定性与安全性。此外，IXFR90N20Q具备较低的开关损耗，适用于高频开关电源和同步整流器等需要快速开关响应的场合。
IXFR90N20Q广泛应用于各种功率电子系统，如服务器电源、电信电源、DC-DC转换器、负载开关、马达驱动器、电池管理系统以及工业自动化控制系统。其高效、高可靠性的特点使其成为电源管理模块和高性能功率电子设备的理想选择。此外，该MOSFET还可用于新能源设备，如太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块。
IXFR88N20Q, IXPQ90N20Q, IXLQ90N20Q
