输入电压范围：2.2V 至 5.5V
　　输出电压：1.8V（固定输出）
　　输出电流：最大300mA
　　压差电压：典型值115mV @ 300mA负载
　　输出噪声：30μVRMS（10kHz 至 100kHz）
　　电源抑制比（PSRR）：70dB @ 1kHz
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：DFN-6（2mm x 2mm）

SGM892B-1.8XN3G/TR 采用了先进的CMOS工艺，具有极低的静态电流（典型值45μA），在轻载和重载条件下均能保持良好的效率。该器件内置软启动功能，可防止启动时的浪涌电流，同时具备过温保护和过流保护机制，确保系统在异常情况下的稳定性。
　　其输出电压为固定1.8V，适用于为FPGA、ADC/DAC、精密放大器等对电源噪声敏感的器件提供干净的供电。此外，SGM892B-1.8XN3G/TR 在负载瞬态响应方面表现出色，能够在负载快速变化时保持输出电压的稳定，确保系统的正常运行。
　　该LDO采用小型DFN-6封装，节省PCB空间，非常适合用于高密度、小尺寸的便携式电子产品设计中。其高PSRR性能在1kHz时可达70dB，有效抑制输入电源中的纹波和噪声，从而提升系统的信噪比和整体性能。

SGM892B-1.8XN3G/TR 主要用于以下应用场景：
　　1. 便携式设备中的电源管理电路，如智能手机、平板电脑、穿戴设备等；
　　2. 射频前端模块的供电，用于降低电源噪声对射频信号的影响；
　　3. 精密模拟电路（如ADC、DAC、低噪声放大器）的供电，以提高信号采集和处理的精度；
　　4. 工业控制系统中的传感器供电，确保传感器信号的稳定性和准确性；
　　5. FPGA、DSP、微处理器等数字电路的内核电压供应，提供稳定、低噪声的电源环境。

TI TPS78218, ADI ADM7172, ON Semi NCP171