时间：2025/9/14 14:39:42
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PESD24VS5UD,115是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的双路静电放电（ESD）保护二极管阵列，主要用于保护敏感的电子电路免受静电放电、电快速瞬变脉冲群（EFT）和其他类型的电压瞬变损害。该器件采用双路双向配置，适用于需要高水平信号完整性保护的应用，如USB 2.0、HDMI、以太网接口和其他高速数据线路。PESD24VS5UD,115采用小型DFN1006-6封装，具有低电容、低钳位电压和快速响应时间等特点，非常适合用于便携式电子设备和通信接口的ESD保护。
类型：ESD保护二极管阵列
通道数：2
配置：双路双向
工作电压：24V
反向关态电压（VRWM）：24V
钳位电压（Vc）：最大36V（在Ipp = 1A时）
峰值脉冲电流（Ipp）：1A（8/20μs波形）
电容（典型值）：15pF（在0V偏置下）
响应时间：小于1ns
封装：DFN1006-6
工作温度范围：-55°C至+150°C
湿度等级：1（符合JEDEC J-STD-020标准）
PESD24VS5UD,115具有多项关键特性，使其成为高速数据线路保护的理想选择。首先，该器件的双路双向配置允许其在两个通道上提供对地和对电源的双向ESD保护，减少了PCB布局的复杂性并提高了设计灵活性。其次，其低电容（典型值为15pF）确保了在高速信号传输过程中不会对信号完整性造成显著影响，适用于USB 2.0、HDMI等高速接口。
该器件的钳位电压较低，最大为36V（在1A的峰值脉冲电流下），这意味着在发生ESD事件时，它能够将电压限制在一个较低的水平，从而减少对下游电路的损害。响应时间小于1ns，确保在瞬态电压事件发生时能够迅速做出反应，提供即时保护。
PESD24VS5UD,115采用DFN1006-6封装，具有极小的封装尺寸（1.0mm x 0.6mm x 0.48mm），适用于空间受限的便携式设备设计。此外，该器件符合IEC 61000-4-2 Level 4（接触放电±8kV，空气放电±15kV）标准，确保其在严苛环境下的可靠性和稳定性。
该器件的额定工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种工业和消费类应用。DFN封装还具有良好的热性能和机械稳定性，有助于提高长期使用的可靠性。同时，该器件无铅且符合RoHS指令，适用于环保设计。
PESD24VS5UD,115广泛应用于需要高水平ESD保护的电子设备中。典型应用包括便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，其中USB接口、HDMI端口、以太网连接器和音频线路需要可靠的ESD保护。该器件也可用于保护工业通信接口、网络设备、消费类电子设备中的高速数据线路，以及汽车电子系统中的敏感控制单元。
此外，该器件适用于保护传感器接口、数据采集系统、安防摄像头和智能家居设备中的信号线路。其低电容和快速响应时间使其特别适合用于高频信号路径，如RF前端模块和高速ADC/DAC接口。PESD24VS5UD,115还可用于保护可编程逻辑控制器（PLC）、自动化设备和工业计算机中的I/O端口。
PESD24VS5BA,115; PESD24VL2BT,115; ESDA6V1W5B; ESDA8V1W5B
