晶体管类型：PNP
　　集电极-发射极电压（Vceo）：30V
　　集电极-基极电压（Vcbo）：30V
　　发射极-基极电压（Vebo）：5V
　　集电极电流（Ic）：100mA
　　功耗（Ptot）：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　增益（hFE）：约60-250（根据具体等级）
　　频率响应：低频（LF）

2N495A晶体管具有以下几个显著的特性：
　　首先，它采用PNP结构，适用于需要低电平控制的电路设计。其最大集电极-发射极电压为30V，能够在相对较高的电压下稳定工作，适用于多种低功耗应用场景。
　　其次，该晶体管的封装形式为TO-18，这是一种广泛使用的金属封装，具有良好的散热性能和机械强度，能够有效保护内部芯片并提高整体可靠性。
　　此外，2N495A具有较高的电流增益（hFE），典型值在60到250之间，具体数值取决于晶体管的分级。这种高增益特性使其非常适合用于信号放大和开关控制。
　　最后，该晶体管的工作温度范围较宽，可在-55°C至150°C之间正常工作，适用于工业级和军用级的应用环境。

2N495A晶体管广泛应用于以下领域：
　　在音频放大电路中，2N495A可用于前置放大器或低功率放大器，能够提供良好的信号放大性能。
　　在开关电路中，其较高的电流增益和良好的导通特性使其成为理想的开关元件，适用于逻辑控制电路和继电器驱动电路。
　　此外，该晶体管也可用于各种模拟电路设计中，如振荡器、稳压电路和传感器接口电路等。
　　在工业控制领域，2N495A可用于驱动小型电机、LED显示屏以及继电器等负载设备，确保系统稳定运行。
　　同时，由于其良好的温度适应性，该晶体管也适用于户外设备、汽车电子系统以及航空航天等高要求的应用环境。

2N3906, BC557, MPSA56