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SGM66099B-3.3YTDI6G/TR 发布时间 时间:2025/7/11 23:17:41 查看 阅读:21

SGM66099B-3.3YTDI6G/TR 是一款由Silicon Mitus(硅米科技)推出的高效率、低功耗的同步降压DC-DC转换器。该芯片采用先进的CMOS工艺制造,具备出色的负载和线性调节能力,能够提供高达2A的持续输出电流。其固定输出电压为3.3V,非常适合于便携式设备和空间受限的应用场景。
  SGM66099B系列内置了上下桥臂功率MOSFET,支持从2.7V到5.5V的宽输入电压范围,适用于单节锂离子电池或低压直流电源供电系统。此外,芯片还集成了多种保护功能,包括过流保护、短路保护和过温关断等特性,确保在各种工作条件下的稳定性和可靠性。

参数

输入电压范围:2.7V~5.5V
  输出电压:3.3V
  最大输出电流:2A
  开关频率:2.2MHz
  静态电流:20uA
  启动电流:10uA
  效率(典型值):95%
  封装形式:TDI6G
  工作温度范围:-40℃~+85℃

特性

1. 内置功率MOSFET,无需外部驱动元件,节省PCB面积。
  2. 支持高达2.2MHz的开关频率,允许使用更小尺寸的电感和电容。
  3. 具备快速瞬态响应性能,适应动态负载变化。
  4. 集成丰富的保护机制,提高系统安全性。
  5. 超低静态电流设计,延长电池续航时间。
  6. 简化的外部补偿网络,易于设计与调试。
  7. 符合RoHS标准,环保友好。

应用

SGM66099B-3.3YTDI6G/TR 广泛应用于对体积敏感且需要高效能转换的场合,例如:
  - 智能手机和平板电脑中的PMIC模块
  - 可穿戴设备如智能手表和健康追踪器
  - 物联网(IoT)节点及无线传感器
  - 便携式医疗仪器,如血糖仪和脉搏血氧仪
  - 数码相机、蓝牙耳机及其他消费类电子产品
  - 工业控制和通信领域的低功耗子系统

替代型号

SGM66099B-3.3YTDI6G/WP, SGM66099B-3.3YTDI6G/TP