工作频率范围：50 MHz - 4 GHz
　　插入损耗：典型值0.35 dB（频率范围内的最大值不超过0.5 dB）
　　隔离度：典型值45 dB（在2 GHz时）
　　输入IP3：+68 dBm
　　VSWR：典型值1.2:1
　　工作电压范围：2.3V至5.5V
　　控制电压：兼容1.8V、2.5V、3.3V CMOS逻辑电平
　　封装形式：TQFN-16（3mm x 3mm）
　　工作温度范围：-40°C至+85°C

SGM13001BYUER6G/TR是一款基于CMOS工艺制造的高性能射频开关，具有出色的电气性能和稳定性。该芯片采用单电源供电，支持宽电压范围（2.3V至5.5V），使其能够适应多种电源设计需求。其控制接口兼容1.8V、2.5V和3.3V的CMOS逻辑电平，简化了与数字控制器或FPGA的连接。
　　该射频开关的插入损耗非常低，在典型工作频率范围内仅为0.35 dB，并且在整个频率范围内保持稳定，确保了信号的高质量传输。同时，其高隔离度（在2 GHz时达到45 dB）能够有效减少不同射频路径之间的信号干扰，提高系统的整体性能。
　　SGM13001BYUER6G/TR具有良好的线性度，输入三阶交调截点（IP3）高达+68 dBm，适用于高线性度要求的通信系统。此外，该芯片的驻波比（VSWR）在工作频段内表现优异，典型值为1.2:1，进一步确保了射频信号的传输效率。
　　该芯片采用小型TQFN-16封装（3mm x 3mm），节省了PCB空间，适用于高密度射频模块设计。其工作温度范围为-40°C至+85°C，满足工业级温度要求，适合在各种恶劣环境下使用。

SGM13001BYUER6G/TR广泛应用于多种射频系统和通信设备中，包括无线基站、Wi-Fi接入点、物联网（IoT）设备、软件定义无线电（SDR）、测试与测量仪器、射频前端模块（FEM）和多频段通信设备。该芯片适用于需要在多个射频路径之间进行高速切换的应用场景，如天线切换、发射/接收路径选择、信号路由和射频测试设备中的信号路径管理。

HMC649ALP3E、PE42641、SKY13417-396LF