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USCD034H 发布时间 时间:2025/6/5 13:56:34 查看 阅读:11

USCD034H 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等电力电子领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统效率并降低功耗。
  USCD034H 属于 N 沟道增强型 MOSFET,其设计旨在优化在高频开关应用中的性能表现。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:28A
  导通电阻:2.5mΩ
  栅极电荷:37nC
  输入电容:1260pF
  总热阻(结到环境):62°C/W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

USCD034H 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少导通损耗,从而提升整体效率。
  2. 高额定电流能力,适合大功率应用场景。
  3. 快速开关性能,可有效降低开关损耗。
  4. 提供强大的雪崩能力和鲁棒性,确保在异常条件下也能可靠运行。
  5. 小巧封装设计,便于 PCB 布局和散热管理。
  6. 宽工作温度范围,适应多种恶劣环境条件。

应用

USCD034H 的典型应用包括:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC 转换器中的同步整流器或主开关。
  3. 电动工具及家用电器中的电机驱动。
  4. 工业自动化设备中的负载切换控制。
  5. 太阳能逆变器和其他新能源相关设备中的功率转换模块。
  6. 各种需要高效功率处理的场合。

替代型号

IRFZ44N
  FDP55N06L
  STP36NF06L

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