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SGL60N150BNTD 发布时间 时间:2025/8/24 16:08:49 查看 阅读:12

SGL60N150BNTD是一款高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高功率、高频率的应用设计。这款器件采用了先进的沟槽栅极技术,以实现更低的导通电阻和更高的效率。SGL60N150BNTD封装在一个坚固的TO-247封装中,适合需要高可靠性和稳定性的应用场景。该MOSFET的主要特点是其高耐压能力、快速开关特性和良好的热性能,使其成为工业电源、电动汽车充电器、太阳能逆变器和其他高功率设备中的理想选择。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):150V
  漏极电流(ID):60A
  导通电阻(RDS(on)):18mΩ
  栅极电荷(Qg):130nC
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装类型:TO-247

特性

SGL60N150BNTD具有多项出色的特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,其低导通电阻(RDS(on))仅为18mΩ,可以显著降低导通损耗,提高系统效率。其次,该器件的高耐压能力达到150V,能够承受较高的电压应力,适用于各种高电压环境。此外,SGL60N150BNTD具备快速开关特性,栅极电荷(Qg)仅为130nC,使得开关损耗减少,从而提高整体效率。
  该MOSFET还具有优异的热性能,能够在高温环境下稳定工作。TO-247封装提供了良好的散热能力,确保在高功率负载下不会过热。此外,SGL60N150BNTD采用了先进的沟槽栅极技术,提高了器件的稳定性和可靠性,减少了寄生电容,从而降低了开关损耗和噪声干扰。
  最后,该器件的高电流承载能力(60A)使其能够在高负载条件下稳定运行,适用于各种工业和电力电子设备。

应用

SGL60N150BNTD广泛应用于多个高功率电子系统中,主要包括工业电源、电动汽车充电器、太阳能逆变器、电机驱动器、不间断电源(UPS)以及DC-DC转换器等。在工业电源领域,该MOSFET可以用于高效能的电源模块,提供稳定的输出功率。在电动汽车充电器中,SGL60N150BNTD的高效率和高可靠性使其成为理想的功率开关元件。太阳能逆变器中使用该器件可以提高能量转换效率,减少系统损耗。此外,它还可以用于电机控制和驱动器系统,提供快速响应和高效的功率管理。在DC-DC转换器和UPS系统中,该MOSFET的高耐压和低导通电阻特性使其成为关键的功率转换元件。

替代型号

SiHF60N150E、IRF6665、FQA60N150、IXFH60N150、STP60N150Z

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