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SGL40N150 发布时间 时间:2025/8/25 5:38:41 查看 阅读:11

SGL40N150 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)推出的高功率 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高电压和高电流的应用场景。该器件具有低导通电阻、高耐压能力以及出色的热稳定性,适合用于电源转换、电机控制、逆变器和工业自动化设备等领域。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):1500 V
  最大漏极电流(Id):40 A(在25°C)
  导通电阻(Rds(on)):0.45 Ω(最大)
  栅极电压(Vgs):±30 V
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:TO-247
  最大功率耗散:200 W

特性

SGL40N150 具有出色的电气性能和热管理能力,其低导通电阻(Rds(on))可减少导通损耗,提高能效。该器件的高耐压能力(1500V)使其适用于高压系统,如高压电源、工业电机驱动和太阳能逆变器等。此外,其 TO-247 封装提供了良好的散热性能,确保在高负载下稳定运行。
  该 MOSFET 还具备良好的抗雪崩能力和过载保护特性,能够在严苛的工作环境下保持可靠性。其栅极驱动设计灵活,适用于多种驱动电路配置。SGL40N150 的高开关速度和低寄生电容特性使其在高频开关应用中表现出色,有助于减小电源系统的体积并提高整体效率。
  此外,SGL40N150 还具有良好的短路耐受能力,能够承受瞬时过载而不损坏。这使其在工业控制和电机驱动等应用中具有更高的安全性和稳定性。

应用

SGL40N150 主要用于需要高电压和高电流处理能力的电力电子系统中。典型应用包括工业电源、不间断电源(UPS)、光伏逆变器、电机驱动器、电焊设备和高压直流(HVDC)转换系统。由于其出色的导通特性和热稳定性,该器件也广泛应用于高效率的开关电源(SMPS)和功率因数校正(PFC)电路中。
  在电机控制领域,SGL40N150 可用于构建高性能的变频器和伺服驱动系统,提供高效、稳定的功率输出。在新能源应用方面,如太阳能逆变器和风能转换系统中,该 MOSFET 能够有效提升系统的整体能效和可靠性。此外,在电焊设备中,它能够承受高电流和高热应力,确保焊接过程的稳定性和安全性。

替代型号

SGH40N150, SGL40N150A, SGP40N150, IRGP40N150

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