类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：80A
　　最大漏-源极电压（Vds）：600V
　　最大栅-源极电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.15Ω（最大0.18Ω）
　　功耗（Pd）：300W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-247

SGHG80N60UFD具有多个关键性能优势。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率，尤其适用于高电流工作环境。其次，高达600V的漏-源极耐压能力使其适用于多种高压电源转换应用，如AC/DC转换器和PFC（功率因数校正）电路。
　　此外，该MOSFET采用先进的沟槽栅极结构，提高了开关速度并减少了开关损耗，有助于实现高频工作，提高电源系统的功率密度。同时，它具备较高的热稳定性，TO-247封装提供良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能稳定运行。
　　SGHG80N60UFD还具有出色的抗雪崩能力和过载保护特性，增强了器件在严苛工作环境下的可靠性。其±30V的栅极耐压能力也提高了抗干扰能力，防止因栅极电压波动导致的损坏。

SGHG80N60UFD广泛应用于各类高功率电力电子系统。其中，主要应用场景包括开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、光伏逆变器、电机驱动器、LED路灯电源、电池充电器以及工业自动化设备中的功率模块。
　　在开关电源中，该器件用于主开关拓扑，如反激式、正激式和LLC谐振转换器，能够有效提升转换效率并降低系统温升。在电机控制和驱动电路中，SGHG80N60UFD的低导通电阻和高电流能力可提升系统响应速度并减少能耗。
　　此外，其优异的热性能和高可靠性也使其适用于户外和工业环境下的电源系统，如太阳能逆变器和储能系统的DC/DC转换模块。

SGHG80N60UFS、SGHG80N65UFD、FGA80N60UDN、FGL80N60AND、STF80N60DM2