类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：15A
　　漏极功耗（PD）：40W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220FP
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值 0.45Ω
　　栅极电荷（Qg）：典型值 35nC
　　输入电容（Ciss）：典型值 1100pF
　　开启阈值电压（VGS(th)）：2V ~ 4V

SGH15N60RUF MOSFET 具有多个显著的技术特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。这对于电源转换器、电机驱动器和开关电源等需要高效能的应用至关重要。
　　其次，SGH15N60RUF 具有高耐压能力，漏源电压（VDS）可达 600V，能够承受较高的电压应力，适用于高压电源系统。此外，该器件的栅源电压范围为 ±30V，提供了较宽的控制电压范围，增强了其在复杂电路中的适用性。
　　该 MOSFET 的连续漏极电流可达 15A，支持高电流负载，适用于高功率开关应用。同时，其 40W 的漏极功耗确保了在较高负载条件下仍能保持稳定工作，具备良好的热稳定性。
　　SGH15N60RUF 采用 TO-220FP 封装，具有良好的散热性能，能够有效降低工作温度，提高器件的可靠性和寿命。这种封装形式也便于安装和散热片的连接，适用于各种工业和消费类电子设备。
　　另外，该器件的栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，提高开关速度，从而进一步提升系统效率。其输入电容也较小，减少了高频开关时的响应延迟，适合用于高频开关电源和电机控制应用。
　　SGH15N60RUF 的开启阈值电压范围为 2V 至 4V，使其能够与常见的驱动电路兼容，简化了电路设计。该器件的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于各种恶劣环境条件下的应用。

SGH15N60RUF MOSFET 广泛应用于多种高功率电子系统中。在电源管理领域，它常用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和 AC-DC 整流器，其高耐压和低导通电阻特性有助于提高电源转换效率并减少热量产生。
　　在电机控制方面，SGH15N60RUF 可用于直流电机驱动、步进电机控制和伺服电机控制等应用。其高电流承载能力和快速开关特性使其能够有效地控制电机的转速和扭矩，同时降低能耗。
　　在工业自动化设备中，该 MOSFET 常用于可编程逻辑控制器（PLC）、工业机器人和自动化生产线中的功率开关。其高可靠性和良好的散热性能确保了设备在连续运行条件下的稳定性。
　　此外，SGH15N60RUF 还可用于消费类电子产品，如电磁炉、微波炉和洗衣机等家电设备中的功率控制模块。其封装形式和电气特性使其能够适应家电设备中常见的高电压和高电流环境。
　　在照明系统中，该 MOSFET 可用于 LED 驱动器和 HID（高强度气体放电灯）镇流器，提供高效的电源管理解决方案。其低导通电阻和快速开关特性有助于实现高亮度 LED 的精确调光控制。

STF15N60M2, STP15N60Z, IRFBC20, FQA16N60C, FDP15N60