时间：2025/8/25 3:08:35
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SMK1350F FDPF13N50 是一款由STMicroelectronics制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率应用。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优良的热性能，适合用于电源转换器、电机控制、负载开关和逆变器等应用。FDPF13N50是Fairchild Semiconductor设计的同类型器件，但STMicroelectronics的SMK1350F是其功能对等型号之一。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：500V
最大漏极电流（ID）：13A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：约0.45Ω（最大值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V至4V
最大功率耗散（PD）：75W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220、D2PAK等
SMK1350F FDPF13N50是一款性能优异的功率MOSFET，具备低导通电阻和高电流处理能力，能够在高压和高功率环境下稳定运行。该器件采用了先进的平面工艺技术，具有良好的热稳定性和抗过载能力。
其低RDS(on)特性可以显著减少导通损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET具备快速开关能力，适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用。
该器件的封装设计优化了散热性能，能够在高温环境下保持稳定的电气性能。同时，其栅极驱动电压范围较宽，适用于多种驱动电路设计，便于与控制器或驱动IC配合使用。
SMK1350F FDPF13N50还具备良好的短路耐受能力和较高的可靠性，广泛用于工业电源、UPS系统、太阳能逆变器、电机驱动等高要求应用中。
该MOSFET广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动电路、UPS不间断电源、工业自动化设备、照明系统、电池管理系统以及太阳能逆变器等领域。由于其高耐压和良好的导通性能，也非常适合用于高功率负载开关和功率因数校正（PFC）电路。
FDPF13N50、FQA13N50、IRFBC40、STW13NK50Z
