时间：2025/8/25 6:49:06
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SGH10N120RUF是一款由Samsung（三星）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其设计用于高电压和高电流的应用场景。这款MOSFET具有较高的耐压能力和较低的导通电阻，适合用于开关电源、逆变器、电机控制和各种功率电子设备中。SGH10N120RUF采用TO-220封装形式，具有良好的散热性能和机械稳定性，能够在高温环境下稳定工作。其主要特点包括高击穿电压、快速开关特性以及较低的导通损耗。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：1200V
连续漏极电流（ID）：10A
导通电阻（RDS(on)）：约0.45Ω
栅极阈值电压（VGS(th)）：约4.5V（范围通常为2～4V）
功耗（Ptot）：约80W
封装形式：TO-220
工作温度范围：-55°C至+150°C
SGH10N120RUF的主要特性之一是其高耐压能力，漏源电压可达1200V，这使得它非常适合用于高电压环境下的开关应用。这种MOSFET在高电流条件下仍然保持较低的导通电阻，约为0.45Ω，从而减少了导通损耗，提高了整体效率。此外，SGH10N120RUF的栅极阈值电压相对较低，约为4.5V，使其在标准驱动电路中可以轻松驱动。该器件还具备快速的开关特性，能够在高频应用中提供出色的性能，减少了开关损耗并提高了系统效率。TO-220封装不仅提供了良好的散热性能，还增强了机械强度，使其能够在较为恶劣的环境中使用。SGH10N120RUF的工作温度范围为-55°C至+150°C，表明它可以在广泛的温度条件下稳定运行，适用于各种工业和消费类应用。
SGH10N120RUF广泛应用于需要高电压和高电流能力的电力电子设备中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、UPS（不间断电源）、电机控制电路、照明控制系统以及各种工业自动化设备。由于其高耐压和低导通电阻的特性，SGH10N120RUF在这些应用中能够有效降低能量损耗，提高系统的整体效率。此外，该器件还可用于电池管理系统、电动工具和家用电器中的功率控制模块。在汽车电子领域，SGH10N120RUF也可用于车载充电器、电动助力转向系统等高功率需求的场景。
SGH10N120RU, SGP10N120TUF, SGW10N120RU
