时间：2025/5/27 9:42:45
阅读：12
SGF5N150UFTU是一款高性能的MOSFET功率晶体管，采用TO-247封装形式。这款器件主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等场景中。它具备较低的导通电阻和较高的击穿电压特性，有助于提升系统的效率与稳定性。
该器件在设计上注重了热性能优化，并且其快速开关速度减少了开关损耗，使其非常适合高效率、高功率密度的应用场合。
型号：SGF5N150UFTU
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：TO-247
漏源极击穿电压(Vds)：150V
最大栅极电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：38A
导通电阻(Rds(on))：2.6mΩ(典型值，在Vgs=10V时)
总功耗(Ptot)：290W
结温范围(Tj)：-55°C至+175°C
栅极电荷(Qg)：94nC
输入电容(Ciss)：4350pF
反向恢复时间(trr)：80ns
SGF5N150UFTU具有以下显著特性：
1. 高耐压能力，最高可达150V，适用于多种高压应用场景。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），仅为2.6mΩ，有效降低了传导损耗，提升了整体效率。
3. 快速开关性能，结合低栅极电荷和短反向恢复时间，使得开关损耗得以最小化。
4. 良好的热性能表现，能够承受较高的工作温度范围，从-55°C到+175°C。
5. 强大的电流处理能力，额定连续漏极电流为38A，适合高功率应用需求。
6. 可靠性高，经过严格的品质控制流程制造而成，确保长期稳定运行。
SGF5N150UFTU广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的功率级开关。
3. 电机驱动电路中的功率开关元件。
4. 太阳能逆变器及其他新能源相关设备中的功率转换模块。
5. 各种工业控制和消费电子产品的功率管理部分。
STF5N150UFTU, IRF540N, FDP15N15E
