类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电压（VDSS）：40V
　　最大漏极电流（ID）：140A
　　导通电阻（RDS(on)）：@10V VGS，典型值 2.2mΩ
　　导通阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 3.5V
　　栅极电荷（Qg）：80nC
　　最大功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：DPAK（TO-252）

SGB4300 具备多项优异特性，适用于高性能功率系统设计。其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，从而提高能效并减少发热。该器件在 10V 栅极驱动电压下可实现 2.2mΩ 的典型 RDS(on)，使其适用于高电流应用。
　　该 MOSFET 支持高达 140A 的漏极电流，具备出色的电流处理能力，适合用于电机驱动、高功率 DC-DC 转换器及电池管理系统。其栅极电荷（Qg）为 80nC，有助于降低开关损耗，提高开关频率下的效率表现。
　　此外，SGB4300 的最大工作温度可达 175°C，具备良好的热稳定性，可在高温环境下稳定运行。其 DPAK 封装形式便于散热，支持表面贴装工艺，适用于自动化生产。
　　该器件还具备良好的短路耐受能力与雪崩能量承受能力，增强了系统的可靠性和抗过载能力。适合用于工业电源、电动汽车（EV）充电模块、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器及服务器电源系统等高可靠性应用场景。

SGB4300 主要应用于需要高效能功率开关的电子系统中。其高电流承载能力与低导通电阻使其非常适合用于 DC-DC 升压/降压转换器、同步整流器、负载开关和电机控制电路。在工业电源、服务器电源供应器以及电池管理系统（BMS）中，SGB4300 可用于主开关或同步整流元件，提高整体能效。
　　此外，该 MOSFET 也适用于电动汽车（EV）的车载充电器（OBC）、直流快充模块、逆变器和储能系统。在太阳能逆变器中，SGB4300 可用于高频开关拓扑，提升转换效率并减小系统体积。
　　在消费类电子产品中，SGB4300 可用于大功率电源适配器、笔记本电脑电源管理模块以及高性能 UPS（不间断电源）系统。其 DPAK 封装也适用于自动化贴片工艺，适合大批量生产。
　　由于其具备良好的短路保护能力和热稳定性，SGB4300 也可用于需要高可靠性的工业控制系统、电机驱动器以及自动化设备中的功率开关电路。

STL4300N, STP140N4F7AG, IPW4300N, FDD140N40A