型号：K9K4G08U0M-YCBO
　　制造商：Samsung
　　存储类型：NAND Flash
　　存储容量：4 Gb (512 MB)
　　组织结构：页大小 2112 字节 (2048 + 64 数据/备用区), 块大小 64 页, 共 4096 块
　　电压：2.7V ~ 3.6V
　　工作温度：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：TSOP-1 (48-pin)
　　接口类型：并行 NAND 接口, 8-bit I/O
　　编程时间：典型值约 300μs/页
　　擦除时间：典型值约 2ms/块
　　读取延迟：约 25μs
　　耐久性：10万次编程/擦除周期
　　ECC要求：建议使用1~4位 ECC 每 512 字节
　　待机电流：< 15μA

K9K4G08U0M-YCBO采用成熟的NAND闪存架构，具备高效的存储管理机制。其内部存储阵列被划分为多个可独立擦除的块，每个块包含64个页，每页可存储2048字节的主数据区和64字节的备用区域，这种结构有利于实现灵活的文件系统管理和坏块处理策略。该芯片支持串行地址输入方式，通过I/O引脚分时传输命令、地址和数据，有效减少了引脚数量，提高了封装密度。在写入操作方面，支持页编程功能，允许按页单位将数据写入已擦除的页中；而擦除操作则以块为单位进行，符合典型的NAND Flash操作规范。为了保障数据可靠性，该器件内置了多项保护机制，包括写保护功能，在电源不稳定时防止误写或误擦。此外，其MLC技术在保证较高存储密度的同时，也对控制器端的纠错算法提出了更高要求，通常需配合较强的ECC引擎使用以确保长期数据稳定性。
　　该芯片具有良好的环境适应性，可在-40°C至+85°C的工业级温度范围内可靠运行，适用于多种复杂应用场景。其低功耗设计使其在待机状态下电流消耗极低，有助于延长电池供电设备的工作时间。TSOP-48封装不仅提供了稳定的电气连接，还便于自动化贴片生产，提升了制造效率。尽管不支持ONFI或Toggle Mode等高速接口标准，但其稳定的并行接口表现仍能满足许多传统嵌入式系统的需求。整体而言，K9K4G08U0M-YCBO是一款兼顾性能、可靠性和成本控制的经典NAND Flash产品，尤其适合对价格敏感且不需要极高带宽的应用场合。

K9K4G08U0M-YCBO广泛应用于各类需要大容量非易失性存储的电子系统中。在嵌入式控制系统中，常用于存储操作系统镜像、应用程序代码以及用户数据，例如工业控制模块、智能仪表和POS终端等设备。在消费类电子产品中，该芯片常见于MP3播放器、数码相框、入门级平板电脑和电子书阅读器中，作为主要的程序和媒体文件存储介质。由于其具备较大的存储空间和相对较低的成本，也被用作某些早期智能手机或功能手机中的辅存单元。此外，在监控设备如行车记录仪和小型安防摄像头中，该芯片可用于循环录制视频数据，配合文件系统实现断电续录和坏块跳转等功能。
　　在固态存储扩展方面，K9K4G08U0M-YCBO可用于设计小型SSD模组或USB闪存盘，尤其是在对速度要求不高但注重稳定性的工业用途产品中。同时，它也是许多开发板和原型验证平台上的常用存储器件，方便工程师进行底层驱动开发和系统调试。由于其支持ECC和坏块管理，能够与主流嵌入式处理器（如ARM Cortex-A系列）配合使用，构建完整的嵌入式Linux系统。此外，在汽车电子领域，部分车载信息终端和导航设备也曾采用此类NAND Flash来存储地图数据和系统配置。虽然目前已被更高密度和更先进工艺的产品逐步替代，但在库存充足的情况下，仍适用于维护旧有产品产线和替代维修场景。

K9F4G08U0B-YCB0
　　K9F4G08U0C-YCB0
　　MT29F4G08ABAEA-LPWT
　　S34ML04G200TFI000