SGA3463Z 是一款由东芝(Toshiba)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器、负载开关等高效率功率电子系统中。该器件采用N沟道结构,具备低导通电阻、高开关速度和高耐压等优点,适合在中高功率应用场景中使用。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):120A
最大漏-源电压(VDS):60V
最大栅-源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):典型值为5.5mΩ(在VGS=10V时)
封装形式:TO-247
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
最大功耗(PD):300W
SGA3463Z 的核心优势在于其优异的导通性能和开关特性,能够有效降低功率损耗并提升系统效率。其低导通电阻(RDS(on))可显著减少在导通状态下的功率损耗,提高能效。此外,该MOSFET具备良好的热稳定性和高温耐受能力,能够在严苛的工作环境下稳定运行。
该器件采用TO-247封装,具备良好的散热性能,适用于高功率密度的设计。SGA3463Z 还具备较高的栅极驱动兼容性,适用于多种控制电路,如PWM控制器和微处理器驱动电路。
其快速开关特性有助于减少开关损耗,适用于高频应用,如DC-DC转换器和同步整流电路。同时,SGA3463Z 具备较高的短路耐受能力,可在突发负载条件下提供更可靠的性能保障。
SGA3463Z 常用于电源管理系统,如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统(BMS)、电机控制器和功率放大器等。其优异的导通和开关性能也使其成为电动车、工业自动化、服务器电源和高功率LED驱动等应用的理想选择。
SGA3463Z 的替代型号包括:SiHF60N60E(Siliconix)、FDPF60N60E(Fairchild)、TKA60N60X(Toshiba)。