时间：2025/6/12 1:59:34
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RTL035N03TR 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，主要用于高频和高效能应用。该器件采用先进的 GaN-on-Si 工艺，具有低导通电阻、快速开关速度和高击穿电压等特性，适用于功率转换器、DC-DC 转换器、电机驱动器以及太阳能逆变器等领域。
其封装形式通常为小型表面贴装封装，适合高密度设计，同时具备良好的热性能。
型号：RTL035N03TR
类型：增强型场效应晶体管 (E-Mode HEMT)
材料：氮化镓 (GaN)
最大漏源电压：650 V
连续漏极电流：35 A
导通电阻（典型值）：15 mΩ
栅极电荷：75 nC
开关频率范围：高达 2 MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装：TO-247 或表面贴装封装
RTL035N03TR 的主要特性包括：
1. 高效的功率转换能力，得益于低导通电阻和快速开关速度。
2. 支持高电压操作（高达 650V），非常适合高压应用场景。
3. 减少了电磁干扰 (EMI) 和开关损耗，从而提升系统效率。
4. 内置保护功能（如过流保护、短路保护等），增强了器件的可靠性。
5. 良好的热性能，使得其能够在高温环境下稳定运行。
6. 兼容传统硅基驱动电路，便于设计迁移。
7. 提供卓越的动态性能，在高频应用中表现优异。
这些特性使其成为需要高性能、高效率和高可靠性的电力电子系统的理想选择。
RTL035N03TR 广泛应用于以下领域：
1. 数据中心电源模块和服务器电源单元 (PSU)。
2. 新能源领域中的太阳能逆变器和储能系统。
3. 汽车电子，例如车载充电器 (OBC) 和 DC-DC 转换器。
4. 消费类电子产品中的快充适配器和无线充电设备。
5. 工业自动化设备中的电机驱动和伺服控制。
6. 高频开关电源和通信基站电源。
通过利用 RTL035N03TR 的高性能特点，可以显著提高相关应用的效率和功率密度。
RTL040N03TR, RTL035N04TR
