SGA2263Z 时间：2025/8/16 2:57:07 阅读：7

SGA2263Z 是一款由日本厂商 Renesas（瑞萨）推出的高功率射频（RF）晶体管，属于 LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）晶体管类别。这款晶体管专为高功率放大器应用而设计，常用于无线通信基础设施，例如蜂窝基站、广播发射器和工业设备。SGA2263Z 提供高增益、高效率和出色的热稳定性，适用于在 UHF 和微波频率范围内工作的系统。该器件采用先进的制造工艺，具有较高的耐用性和可靠性，非常适合在苛刻的工业环境中使用。

参数

类型：LDMOS RF 功率晶体管
　　最大漏极电压 (VDSS)：65V
　　最大漏极电流 (ID)：3.5A
　　最大输出功率：65W
　　工作频率范围：DC 至 1GHz
　　增益：约 20dB
　　封装类型：塑料封装（如表面贴装封装）
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C

特性

SGA2263Z 是一款性能优异的高功率射频晶体管，具备多个关键特性以满足高要求的射频放大器需求。首先，它支持从 DC 到 1GHz 的宽频率范围，使其适用于多种无线通信系统。其 20dB 的典型增益确保了信号在放大过程中具有较低的损耗和较高的效率。此外，该晶体管的最大输出功率可达 65W，能够在高负载条件下提供稳定的性能。
　　SGA2263Z 采用先进的 LDMOS 技术，具备高效率和低失真的特点，这使其在高功率放大应用中表现出色。该器件能够在 65V 的最大漏极电压和 3.5A 的最大漏极电流下工作，具备良好的热稳定性和可靠性。其塑料封装设计不仅减轻了整体重量，还简化了电路板的布局和装配过程，适合大规模生产。
　　另一个显著的优势是其宽广的工作温度范围（-40°C 至 +150°C），使其能够在各种环境条件下可靠运行，包括户外基站和工业设备。SGA2263Z 还具备良好的线性度和抗干扰能力，有助于提高通信系统的信号质量和稳定性。

应用

SGA2263Z 主要用于需要高功率放大的射频系统中。常见的应用包括蜂窝基站的功率放大器模块、广播发射器、无线基础设施设备、工业加热设备以及测试和测量仪器。其高增益和高效率特性使其非常适合用于 4G LTE 和 5G 前端射频放大器，支持高数据速率和稳定的信号传输。
　　此外，SGA2263Z 也可用于无线局域网（WLAN）设备、点对点通信系统以及卫星通信设备。其宽频率响应和高线性度使其成为多频段或多标准通信系统中的理想选择。在工业领域，该晶体管可用于射频能量应用，如等离子体发生器和射频加热装置，提供稳定和高效的功率输出。