类型：肖特基势垒二极管
　　封装：SOD-123FL
　　最大重复反向电压（VRRM）：30 V
　　最大直流反向电压（VR）：30 V
　　平均整流电流（IO）：3 A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：50 A
　　正向压降（VF）：典型值 0.54 V（在 IF = 3A, TJ = 25°C）
　　最大反向漏电流（IR）：0.5 mA（在 VR = 30V, TJ = 25°C）；50 μA（在 VR = 30V, TJ = 125°C）
　　工作结温范围（TJ）：-65 °C 至 +150 °C
　　存储温度范围（Tstg）：-65 °C 至 +150 °C
　　热阻（RθJA）：约 83 K/W（在 FR-4 印刷电路板上）
　　安装方式：表面贴装（SMD）

SEMS34 肖特基二极管具备多项关键特性，使其在众多低压直流应用中表现出色。
　　首先，其低正向压降是该器件最显著的优势之一。在典型工作条件下（IF = 3A, TJ = 25°C），正向压降仅为 0.54V，远低于传统硅 PN 结二极管（通常为 0.7V 以上）。这一特性极大地减少了导通状态下的功率损耗（Ploss = VF × IF），对于电池供电设备而言尤为重要，因为它能够延长电池续航时间，并减少散热需求。在高频率开关电源如同步整流器或 DC-DC 变换器中，这种低损耗特性有助于提升转换效率，尤其是在轻载和中等负载条件下表现更为明显。
　　其次，SEMS34 具备快速开关能力。由于肖特基二极管基于金属-半导体接触而非 P-N 结，因此不存在少数载流子存储效应，反向恢复时间极短（通常在纳秒级别）。这意味着在高频开关操作下，不会产生明显的反向恢复电流尖峰，从而降低了电磁干扰（EMI）和开关节点的电压振铃现象，有利于简化滤波电路设计并提升系统的电磁兼容性。这一点在现代高频率、高密度电源模块中至关重要。
　　再者，SEMS34 采用 SOD-123FL 封装，这是一种超小型表面贴装封装，尺寸仅为 2.7 mm × 1.6 mm × 1.1 mm（典型值），具有较小的占位面积和较低的寄生电感。这使得它非常适合用于空间受限的应用，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和便携式医疗仪器。同时，该封装经过优化设计，具备良好的热传导性能，能有效将芯片热量传递至 PCB，提升功率处理能力和长期可靠性。
　　此外，该器件支持高达 3A 的连续平均整流电流，并能承受 50A 的峰值浪涌电流（8.3ms 半正弦波），表明其具备较强的瞬态负载耐受能力，适用于存在启动冲击或突发电流的应用场合。其工作结温可达 +150°C，确保在高温环境下仍能稳定运行。综上所述，SEMS34 凭借其高效、快速、紧凑和可靠的特点，成为现代电源管理系统中的理想选择。

SEMS34 广泛应用于多种需要高效能、小体积和快速响应的电子系统中。
　　在便携式消费电子产品领域，例如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，SEMS34 常被用作电池保护电路中的防反接二极管或 OR-ing 二极管，防止主电源与备用电源之间的反向电流流动，同时因其低 VF 特性而最大限度地减少能量浪费。它也被集成于 USB 电源路径管理电路中，作为理想的续流二极管或箝位元件，保障数据接口的安全性和稳定性。
　　在电源转换系统方面，SEMS34 非常适合用于低压大电流的 DC-DC 降压（Buck）和升压（Boost）变换器中，特别是在非同步整流拓扑中充当输出整流二极管。虽然如今许多高端电源已采用同步整流 MOSFET 来替代肖特基二极管以进一步降低损耗，但在成本敏感或设计复杂度受限的应用中，SEMS34 依然是一个极具性价比的选择。其快速开关特性有助于减少开关损耗，提升整体电源效率。
　　此外，在逆变器、电机驱动器和 LED 驱动电源中，SEMS34 可作为续流（flyback）二极管使用，为感性负载提供电流回路，抑制电压尖峰，保护主开关器件（如 IGBT 或 MOSFET）。在太阳能充电控制器和小型光伏系统中，它也可用于防止电池在夜间反向放电至太阳能面板。
　　工业控制设备、通信模块和嵌入式系统中同样常见 SEMS34 的身影，用于隔离不同电源域、实现电源冗余切换或作为 ESD 和瞬态电压抑制的辅助保护元件。得益于其符合 RoHS 和无卤素的环保特性，该器件也满足各类国际安全与环境标准，适用于出口型电子产品和绿色能源项目。

SS34
　　SB340
　　MBR340
　　B130WA