工作电压范围：4.5V 至 32V
　　最大工作频率：1MHz
　　输出驱动能力：高端和低端各为 1A
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：8 引脚 MSOP

SG2011-1.2XN3/TR 的主要特性之一是其具备精确的死区时间控制，可有效防止上下桥臂直通现象，从而提高系统的稳定性和安全性。芯片内置的自适应导通时间控制能够根据负载条件动态调整 MOSFET 的导通时间，确保在不同负载情况下都能实现最佳的整流效率。
　　此外，该芯片还集成了多种保护功能，包括过热保护、欠压锁定（UVLO）和过流保护（OCP），以增强系统的可靠性。SG2011-1.2XN3/TR 的驱动电路设计能够提供较强的栅极驱动能力，确保 MOSFET 快速开关，从而减少开关损耗并提高效率。
　　芯片采用 8 引脚 MSOP 封装，体积小巧，适用于紧凑型电源设计。其高集成度减少了外部元件数量，降低了设计复杂度，并提高了整体系统的可靠性。SG2011-1.2XN3/TR 支持宽输入电压范围，适用于多种电源拓扑结构，如 LLC 谐振变换器和相移全桥变换器的次级侧同步整流控制。

SG2011-1.2XN3/TR 主要用于高性能电源转换系统中，如服务器电源、通信电源、工业电源以及高效 DC-DC 模块等。其同步整流控制功能特别适用于 LLC 谐振变换器和相移全桥变换器的次级侧控制，能够显著提升电源转换效率并降低损耗。
　　在服务器和数据中心电源系统中，SG2011-1.2XN3/TR 可用于优化电源模块的能效，满足高功率密度和高转换效率的设计需求。在通信电源系统中，该芯片可用于提升 48V 转低压 DC-DC 转换器的效率，确保稳定可靠的电源供应。此外，在工业电源设备中，如不间断电源（UPS）、电池充电器和高精度电源适配器，SG2011-1.2XN3/TR 也广泛用于提高电源系统的整体性能和稳定性。

SG2010-1.2XN3/TR, UCC24612, NCP4306