类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流 (ID)：200A
　　最大漏源电压 (VDS)：60V
　　最大栅源电压 (VGS)：±20V
　　导通电阻 (RDS(on))：1.7mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装形式：TO-247、TO-263或其他定制化表面贴装封装

SG200N06S的主要特性包括其极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于减少传导损耗并提高整体效率。此外，该器件具备优异的热管理和散热能力，能够在高负载条件下保持稳定的运行状态。由于采用了先进的沟槽式结构设计，SG200N06S还具有出色的开关性能，可以有效降低开关损耗。
　　另一个显著特点是其宽广的工作温度范围，从-55°C到+175°C，使得它适用于各种严苛环境下的电力系统。同时，SG200N06S拥有较强的过载能力和短路耐受性，从而提高了系统的可靠性和安全性。
　　最后，SG200N06S支持多种不同的封装选项，便于根据具体应用场景进行灵活选择与安装。例如，在需要良好散热效果的情况下可以选择带有散热片的TO-247封装；而在追求小型化设计时，则可选用更紧凑型的TO-263或类似规格。

SG200N06S广泛应用于多个领域，如电源供应器中的同步整流器、直流马达驱动电路、电池管理系统(BMS)以及电动汽车(EV)充电设备中作为主开关元件使用。除此之外，它也适合用于太阳能逆变器、不间断电源(UPS)装置及各类高频DC-DC转换器模块内发挥关键作用。
　　对于那些对能量转换效率要求较高的场合来说，比如服务器电源或者LED照明系统里头，这款高性能MOSFET同样能够展现出卓越的表现力。此外，在机器人技术、无人机控制系统以及其他依赖于精确动力调节的技术方案当中，SG200N06S也是不可或缺的核心组件之一。

IRFP4468PbF, IXFH200N60Q2, FDPF200N60TF