型号：SG-550SEF
　　输出类型：LVCMOS/HCSL（可选）
　　标称频率范围：1MHz 至 220MHz（可编程）
　　频率稳定性：±25ppm, ±50ppm（全温度范围内）
　　工作温度范围：-40°C 至 +105°C（工业级），-40°C 至 +125°C（扩展级）
　　供电电压：1.71V 至 3.63V（宽压输入）
　　输出电平：LVCMOS兼容，驱动能力典型值为8mA
　　上升/下降时间：<5ns（典型值）
　　相位抖动（12kHz – 20MHz）：<1.0ps RMS
　　老化率：±1ppm/年（最大）
　　启动时间：<10ms（从上电到稳定输出）
　　封装形式：4-pin 或 6-pin DFN（3.2mm x 2.5mm 或 2.5mm x 2.0mm）
　　EMI性能：符合FCC Class B辐射标准
　　抗震性能：可达70,000g冲击耐受，10g均方根振动抗扰

SG-550SEF的核心特性之一是其基于MEMS技术的谐振结构，这种结构使用单晶硅作为谐振元件，避免了传统石英晶体因机械脆性导致的易损问题。MEMS谐振器被密封在真空腔体内，有效隔绝外界污染物和湿度影响，从而大幅提升了长期可靠性和环境适应能力。该器件内置多个可编程锁相环（PLL），允许用户在不更换硬件的情况下灵活设定输出频率，支持从1MHz到220MHz之间的任意频率配置，满足多平台共用设计需求。其频率稳定性在全温度范围内可达到±25ppm，即使在极端温变环境下也能保持精准计时，适用于户外基站、车载电子等对时钟精度要求极高的场景。
　　另一个关键优势是SG-550SEF卓越的抗扰能力。它能够在高达10g均方根的持续振动环境中正常工作，且相位噪声几乎不受影响，这对于部署在高速列车、无人机或工业机器人中的通信模块至关重要。同时，该器件对PCB应力、焊接变形和机械冲击的敏感度远低于石英器件，显著降低了因组装过程引入的频偏风险。SG-550SEF还具备极低的老化率——每年不超过±1ppm，这意味着在整个产品生命周期内无需频繁校准，提高了系统的长期稳定性。
　　在电气性能方面，SG-550SEF提供干净的LVCMOS或HCSL输出信号，上升和下降时间小于5ns，确保高速数字系统中时钟边沿的清晰性，减少时序误差。其电源噪声抑制能力强，在存在电源波动或共模干扰的应用中仍能维持稳定输出。此外，该器件支持快速启动模式，通常在10毫秒内即可完成上电锁定并输出有效时钟信号，适用于需要快速唤醒的节能型系统。整体功耗较低，在典型工作条件下静态电流约为6mA，兼顾性能与能效。所有这些特性使得SG-550SEF成为替代传统OCXO、TCXO和普通XO的理想选择，特别是在高可靠性要求的应用中表现出色。

SG-550SEF广泛应用于对时钟精度和系统可靠性有极高要求的领域。在电信基础设施中，它常用于5G基站、光传输设备和核心路由器中，作为主控时钟源，提供低抖动、高稳定性的参考频率，保障数据同步和误码率控制。在工业自动化领域，该器件被集成于PLC控制器、工业交换机和现场总线模块中，抵抗工厂环境中的电磁干扰和机械振动，确保控制系统长时间稳定运行。
　　在汽车电子方面，SG-550SEF凭借其AEC-Q200认证和宽温工作能力，适用于高级驾驶辅助系统（ADAS）、车载信息娱乐系统（IVI）以及车载网络网关模块，满足车辆在冷启动、高温行驶等复杂工况下的时钟需求。其抗冲击性能特别适合安装在车体前部或底盘附近的电子单元。
　　此外，在医疗设备如MRI成像系统、超声波仪和便携式监护仪中，SG-550SEF提供了精确的时间基准，有助于提高信号采集的同步性和图像分辨率。在航空航天与国防领域，该器件用于雷达系统、卫星通信终端和飞行控制计算机，因其高可靠性、长寿命和抗辐射设计而备受青睐。
　　测试与测量仪器，如示波器、频谱分析仪和函数发生器，也依赖SG-550SEF提供的低相位噪声时钟来保证测量精度。最后，在数据中心和服务器主板中，SG-550SEF可用于PCIe时钟分配、内存控制器同步和高速串行链路参考时钟，支持高达100Gbps的数据速率传输，是构建高性能计算平台的关键组件。

SiT9501AC-25-33E25.000000H
　　SG-550PCB-25-33E125.000000H
　　OSC3225CM-25.0000MDT