时间:2025/11/13 19:41:40
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SFW20R-3STE1LF是一种表面贴装肖特基势垒二极管,由Vishay Semiconductors生产。该器件采用先进的平面技术制造,专为高效率和高性能应用而设计。SFW20R-3STE1LF具有低正向电压降和快速开关特性,使其在高频整流、电源管理和DC-DC转换等应用中表现出色。其封装形式为PowerPAK 1212-8,这种紧凑型封装不仅节省空间,还具备良好的热性能,适合在高密度印刷电路板上使用。该器件符合RoHS标准,并且不含卤素,满足现代电子产品对环保和可靠性的要求。SFW20R-3STE1LF广泛应用于便携式设备、通信系统、计算机电源以及工业控制等领域,尤其适用于需要高效能和小尺寸解决方案的设计场景。
产品类型:肖特基势垒二极管
最大重复反向电压(VRRM):20 V
平均整流电流(IO):3 A
峰值脉冲正向电流(IFSM):50 A
正向电压降(VF):典型值0.48 V(在3 A时)
最大反向漏电流(IR):200 μA(在25°C时)
工作结温范围(TJ):-55 °C 至 +150 °C
存储温度范围(Tstg):-65 °C 至 +175 °C
热阻结到环境(RθJA):约50 K/W(依PCB布局而定)
热阻结到引线(RθJL):约15 K/W
封装/外壳:PowerPAK 1212-8 SMD
安装类型:表面贴装
引脚数:8
通道数:2(双共阴极配置)
反向恢复时间(trr):典型值<1 ns
极性:双共阴极
湿度敏感等级(MSL):1级(<=30°C / 85% RH)
封装宽度:约1.2 mm
封装长度:约1.2 mm
高度:约1.0 mm
SFW20R-3STE1LF具备出色的电气和热性能,其核心优势之一是采用了先进的平面肖特基技术,实现了极低的正向导通压降,在3A的工作电流下典型值仅为0.48V,显著降低了功率损耗,提高了系统整体效率。这种低VF特性对于电池供电设备尤为重要,能够延长续航时间并减少发热问题。
该器件采用PowerPAK 1212-8封装,这是一种超小型表面贴装封装,尺寸仅为1.2mm x 1.2mm,非常适合高密度PCB布局,特别适用于智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备中的空间受限设计。尽管体积小巧,但其内部结构优化了散热路径,通过底部暴露焊盘有效将热量传导至PCB,从而实现良好的热管理性能,确保在持续高负载条件下稳定运行。
SFW20R-3STE1LF具有非常快的开关速度,反向恢复时间低于1纳秒,几乎不存在反向恢复电荷,因此在高频开关应用中不会产生额外的开关损耗或电磁干扰,适合用于DC-DC转换器、同步整流电路和高频逆变器等场合。
该器件为双共阴极配置,即两个独立的肖特基二极管共享一个阴极连接,这种结构常用于全波整流或双路输出电源拓扑中,简化了电路设计并减少了元件数量。此外,其高达50A的峰值脉冲电流能力使其能够承受瞬态浪涌电流冲击,增强了系统的鲁棒性和可靠性。
Vishay对该产品实施严格的品质控制,符合AEC-Q101汽车级认证要求(如适用型号),并满足无铅和无卤素的环保标准,支持绿色制造流程。器件还具备优良的抗潮湿性能,MSL等级为1级,表明其可在常规环境下长期储存而不影响焊接质量。综合来看,SFW20R-3STE1LF是一款集高性能、小型化、高可靠性和环保于一体的先进肖特基二极管解决方案。
SFW20R-3STE1LF广泛应用于多种高性能电源管理系统中。由于其低正向压降和高效率特性,常被用作DC-DC转换器中的整流元件,尤其是在降压(Buck)、升压(Boost)和升降压(Buck-Boost)拓扑结构中,可有效提升转换效率并降低温升。在笔记本电脑、平板电脑和移动电源等便携式设备中,该器件有助于实现轻薄化设计和长续航能力。
在服务器和通信设备的电源模块中,SFW20R-3STE1LF可用于二次侧整流,配合同步整流控制器工作,进一步提高电源效率。其高频响应能力和快速开关特性也使其适用于开关模式电源(SMPS)、LED驱动电源以及适配器设计中。
此外,该器件还可用于电池充电管理电路、电压钳位保护电路、反向极性保护以及噪声抑制电路中。在汽车电子领域,虽然需确认具体型号是否通过AEC-Q101认证,但类似规格的器件常用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器电源和车内照明控制等应用。
由于其双共阴极结构,SFW20R-3STE1LF特别适合构建全波整流桥的一半电路,或用于双通道输出的隔离式电源设计中。在FPGA、ASIC和微处理器的核电压供电路径中,也可作为低损耗续流二极管使用。总体而言,该器件适用于所有需要高效、紧凑和可靠整流功能的现代电子系统。
SFDB20A30-SB29;SFB10A30-SB29;SFM20A30-SB29