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FM25L16B-GTR 发布时间 时间:2025/5/7 22:10:56 查看 阅读:26

FM25L16B-GTR 是一款由 Ramtron(现为 Cypress Semiconductor 的一部分)生产的基于铁电随机存取存储器(FRAM)技术的非易失性存储芯片。该器件提供 2Mb(256K x 16)的存储容量,采用高速 SPI 接口,支持高达 66MHz 的工作频率。
  FM25L16B-GTR 不仅具有快速写入功能,还具备高耐久性和低功耗的特点,适合需要频繁数据记录和长时间可靠性的应用。其非易失性特性使得数据在断电后仍能保存。

参数

存储容量:2Mb (256K x 16)
  接口类型:SPI
  工作电压:1.7V 至 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  最大时钟频率:66MHz
  封装类型:SOIC-8, TSSOP-8, WLCSP-8
  数据保持时间:超过10年
  擦写次数:超过10^12次

特性

FM25L16B-GTR 的主要特点是其使用 FRAM 技术,相比传统的 EEPROM 和闪存,它提供了更高的写入速度、更低的功耗以及更长的使用寿命。此外,该器件支持字节级写入操作,无需写入前的擦除操作,简化了系统设计。
  FRAM 技术的非易失性确保了即使在突然断电的情况下,数据也不会丢失。同时,其高速 SPI 接口使得与微控制器或 FPGA 的通信更加高效。
  该芯片还具备多种保护机制以防止数据损坏,例如内置的写保护引脚和自动地址递增功能。这些特点使得 FM25L16B-GTR 成为工业控制、医疗设备、计量仪表以及其他需要高性能数据记录场景的理想选择。

应用

FM25L16B-GTR 广泛应用于各种需要频繁数据记录和高可靠性的场合。具体应用包括但不限于:
  1. 工业自动化中的数据日志记录。
  2. 医疗设备中的患者数据存储。
  3. 智能仪表中的配置参数保存。
  4. 汽车电子系统中的事件记录。
  5. 物联网设备中的临时和永久数据存储。
  由于其高速、耐用和低功耗的特性,FM25L16B-GTR 在需要实时数据更新和长期数据保留的应用中表现尤为突出。

替代型号

FM25L16B-MUR, FM25L16B-BTR, MB85RS2MT-SNE

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FM25L16B-GTR参数

  • 标准包装2,500
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型FRAM(Ferroelectric RAM)
  • 存储容量16K (2K x 8)
  • 速度20MHz
  • 接口SPI 串行
  • 电源电压2.7 V ~ 3.6 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOIC
  • 包装带卷 (TR)