FM25L16B-GTR 是一款由 Ramtron(现为 Cypress Semiconductor 的一部分)生产的基于铁电随机存取存储器(FRAM)技术的非易失性存储芯片。该器件提供 2Mb(256K x 16)的存储容量,采用高速 SPI 接口,支持高达 66MHz 的工作频率。
FM25L16B-GTR 不仅具有快速写入功能,还具备高耐久性和低功耗的特点,适合需要频繁数据记录和长时间可靠性的应用。其非易失性特性使得数据在断电后仍能保存。
存储容量:2Mb (256K x 16)
接口类型:SPI
工作电压:1.7V 至 3.6V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
最大时钟频率:66MHz
封装类型:SOIC-8, TSSOP-8, WLCSP-8
数据保持时间:超过10年
擦写次数:超过10^12次
FM25L16B-GTR 的主要特点是其使用 FRAM 技术,相比传统的 EEPROM 和闪存,它提供了更高的写入速度、更低的功耗以及更长的使用寿命。此外,该器件支持字节级写入操作,无需写入前的擦除操作,简化了系统设计。
FRAM 技术的非易失性确保了即使在突然断电的情况下,数据也不会丢失。同时,其高速 SPI 接口使得与微控制器或 FPGA 的通信更加高效。
该芯片还具备多种保护机制以防止数据损坏,例如内置的写保护引脚和自动地址递增功能。这些特点使得 FM25L16B-GTR 成为工业控制、医疗设备、计量仪表以及其他需要高性能数据记录场景的理想选择。
FM25L16B-GTR 广泛应用于各种需要频繁数据记录和高可靠性的场合。具体应用包括但不限于:
1. 工业自动化中的数据日志记录。
2. 医疗设备中的患者数据存储。
3. 智能仪表中的配置参数保存。
4. 汽车电子系统中的事件记录。
5. 物联网设备中的临时和永久数据存储。
由于其高速、耐用和低功耗的特性,FM25L16B-GTR 在需要实时数据更新和长期数据保留的应用中表现尤为突出。
FM25L16B-MUR, FM25L16B-BTR, MB85RS2MT-SNE