SFW15R-2STE1LF 是由 IXYS 公司生产的一款高性能、高可靠性的双路 N 沟道功率 MOSFET 模块,广泛用于工业控制、电机驱动、电源转换和电力电子设备中。该模块采用先进的沟道技术,具备低导通电阻和高开关速度,同时具备良好的热稳定性和抗过载能力。SFW15R-2STE1LF 的封装形式为双列直插式(DIP),非常适合高功率密度设计。
类型:双路N沟道功率MOSFET模块
漏源电压(Vds):600V
漏极电流(Id):15A
导通电阻(Rds(on)):0.32Ω(最大值)
栅极电压(Vgs):±20V
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:双列直插式(DIP)
安装方式:通孔安装
SFW15R-2STE1LF 功率 MOSFET 模块具有多项卓越的电气和机械特性,使其在各种高功率应用中表现出色。该器件采用了先进的沟槽栅极技术和优化的芯片结构,从而实现了极低的导通电阻 Rds(on),降低了导通损耗,提高了系统效率。此外,其最大漏源电压为 600V,漏极电流为 15A,使其能够承受较高的电压和电流应力,适用于多种中高功率应用。该模块的栅极驱动电压范围为 ±20V,具备良好的抗静电能力和过压保护能力。
该器件的封装采用双列直插式(DIP)结构,具有良好的散热性能和机械稳定性,适合在高振动或高热应力环境中使用。此外,其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,确保了在极端温度条件下的稳定运行。SFW15R-2STE1LF 还具备良好的短路耐受能力和热稳定性,使其在电机控制、逆变器和电源转换器等高要求应用中表现优异。
在高频开关应用中,SFW15R-2STE1LF 表现出较小的开关损耗和快速的响应时间,有助于提高系统的整体能效。其内置的双路 MOSFET 结构使得设计更加紧凑,并减少了外部电路的复杂度。该模块符合 RoHS 环保标准,适用于无铅工艺和环保型电子产品设计。
SFW15R-2STE1LF 主要应用于工业自动化设备、电机驱动器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电源转换器、电焊机、电磁炉和各类高功率开关电源系统。由于其高耐压、大电流承载能力和良好的热稳定性,该模块在需要高可靠性和高效能的电力电子系统中得到了广泛使用。此外,它也适用于电动汽车充电设备、储能系统和智能电网相关设备中,作为核心的功率开关元件。在高频开关应用中,如DC-DC变换器和AC-DC整流器,该模块同样表现出色,可显著提高系统的能效和稳定性。
SFW20R-2STE1LF、SFW12R-2STE1LF、IXFH15N60P