SFU2N60是一款N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统中。该器件设计用于在高电压和大电流条件下工作,适用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和电池充电器等多种应用。SFU2N60采用先进的平面工艺制造,具有低导通电阻、高击穿电压和良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定运行。
类型:N沟道
最大漏极电流:2A
最大漏极-源极电压:600V
导通电阻(Rds(on)):约2.5Ω
栅极阈值电压:2V至4V
最大功耗:50W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装形式:TO-220
SFU2N60具有多个关键特性,使其适用于高要求的电力电子应用。首先,其高漏极-源极电压(600V)能力使其适用于高电压应用,如电源转换和电机控制。其次,SFU2N60的低导通电阻(Rds(on))可减少导通损耗,提高系统效率,同时在高电流工作条件下保持较低的温升。此外,该器件具有较高的热稳定性,可在高温环境下稳定运行,增强了系统的可靠性。
栅极阈值电压较低(2V至4V),使得SFU2N60能够与多种控制电路兼容,包括常见的微控制器和PWM控制器。其TO-220封装形式提供了良好的散热性能,确保在高功率应用中保持稳定的热管理。SFU2N60还具有良好的短路耐受能力,能够在瞬态过载条件下提供一定的保护作用,防止器件损坏。
由于其高可靠性和优良的电气性能,SFU2N60常用于工业电源、家用电器、通信设备和消费类电子产品中的功率控制部分。在设计中使用SFU2N60时,可以有效减少外围电路的复杂度,提高整体系统的效率和稳定性。
SFU2N60主要应用于各类电力电子设备中,包括开关电源、DC-DC转换器、AC-DC整流器、电机驱动电路、电池管理系统和LED照明驱动电路等。在开关电源中,SFU2N60可以作为主开关器件,实现高效的能量转换。在电机控制系统中,它可以用于PWM调速控制,提供稳定的输出。此外,该器件还可用于逆变器、UPS不间断电源、工业自动化设备以及各种需要高电压和高效率功率开关的场合。
2N60, SFU2N65, SFU2P60, FQP2N60