时间：2025/8/5 5:21:57
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SFTN7422SMP-HAF是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高频开关应用而设计，广泛用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机控制及汽车电子等领域。该MOSFET采用先进的沟槽栅技术，提供较低的导通电阻（Rds(on)），从而降低导通损耗并提高系统效率。SFTN7422SMP-HAF封装为PowerFLAT 5x6，具备良好的热性能和空间利用率，适合高密度电路设计。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：25V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）@25°C：120A
导通电阻（Rds(on)）@4.5V Vgs：最大1.25mΩ
导通电阻（Rds(on)）@2.5V Vgs：最大1.65mΩ
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装：PowerFLAT 5x6
安装类型：表面贴装（SMD）
SFTN7422SMP-HAF具有多项先进的电气和热性能特性，能够满足高性能功率应用的需求。首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，从而提升整体能效。该器件支持高达120A的连续漏极电流，在高负载条件下仍能保持稳定运行。此外，该MOSFET采用先进的沟槽栅结构技术，提高了单位芯片面积上的电流密度，同时优化了开关性能，降低了开关损耗。SFTN7422SMP-HAF具备良好的热稳定性，PowerFLAT 5x6封装提供了优异的热管理能力，确保在高功率密度环境下也能有效散热。该器件还具有较高的抗雪崩能力，增强了在高压瞬态条件下的可靠性。此外，该MOSFET的栅极驱动电压兼容标准逻辑电平（2.5V~4.5V），便于与各种控制器或驱动器配合使用，适用于同步整流、负载开关、电池管理系统等应用场景。SFTN7422SMP-HAF还具备良好的抗过热和过电流能力，适合在严苛的工业和汽车环境中使用。
SFTN7422SMP-HAF适用于多种高功率、高效率的电子系统，尤其适合用于电源管理模块中的同步整流、DC-DC降压和升压转换器、负载开关、电机驱动电路以及电池供电设备中的功率控制。在服务器电源、通信设备、工业自动化系统、电动工具、无人机、储能系统和汽车电子（如车载充电器OBC、电池管理系统BMS）中均有广泛应用。其低Rds(on)和高电流能力使其成为高效率电源设计中的理想选择。
STMN7422K2AG；STMN7422SMP；STN7422K2AG
