时间：2025/6/19 13:48:46
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SFM-125-T2-F-D-A-K 是一款基于硅技术的高频功率晶体管，广泛应用于射频和微波领域。该晶体管采用了先进的制造工艺，在高频条件下表现出优异的性能和可靠性。其设计特别适用于无线通信、雷达系统以及工业科学医疗 (ISM) 频段的应用。SFM-125 系列晶体管能够提供高增益和高输出功率，同时具有较低的噪声系数和较高的线性度。
类型：NPN
最大集电极电流：3.5A
最大集电极功耗：40W
频率范围：0.01MHz 至 2GHz
增益带宽积：15GHz
特征频率(fT)：6GHz
击穿电压(Vceo)：70V
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-263
SFM-125-T2-F-D-A-K 晶体管具备出色的高频性能和功率处理能力。
1. 先进的硅双极晶体管 (Si-BJT) 技术提供了更高的增益和效率，适合高频应用。
2. 高输出功率和低失真特性使其成为高性能射频功率放大器的理想选择。
3. 内部匹配网络设计优化了阻抗匹配，从而减少了外部元件的需求并简化了电路设计。
4. 极高的可靠性和稳定性，即使在极端温度和高负载条件下也能保持良好的性能。
5. 封装采用无铅材料，符合 RoHS 标准，满足环保要求。
SFM-125-T2-F-D-A-K 广泛用于各种射频和微波应用场景：
1. 无线通信设备中的功率放大器模块，例如基站发射机和移动终端。
2. 雷达系统中的驱动级和功率放大级。
3. 工业科学医疗 (ISM) 频段设备，如磁共振成像 (MRI) 和射频加热装置。
4. 测试与测量仪器中的信号发生器和功率放大器。
5. 卫星通信和广播系统中的上变频器和下变频器部分。
SFM-125-T2-F-D-A-M, SFM-125-T2-F-D-A-N
