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IPD60R3K3C6 发布时间 时间:2025/7/11 22:39:04 查看 阅读:11

IPD60R3K3C6是一款由Infineon(英飞凌)生产的MOSFET功率晶体管,该器件采用了先进的TRENCH技术,具有极低的导通电阻和高效率。其主要应用领域包括开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等。IPD60R3K3C6属于OptiMOS系列,具备出色的热性能和电气特性,适合高频率和高功率密度的设计需求。
  该器件采用PQFN4x4封装形式,体积小巧,便于在紧凑型电路板中使用,同时保证了良好的散热性能。

参数

型号:IPD60R3K3C6
  制造商:Infineon
  封装:PQFN4x4
  VDS(漏源电压):30V
  RDS(on)(导通电阻):3.1mΩ(典型值,25°C条件下)
  ID(连续漏极电流):60A
  fSW(最大工作频率):1MHz
  Qg(栅极电荷):7nC
  Eoss(输出电容能量损耗容):1030pF
  RthJC(结至外壳热阻):1°C/W

特性

IPD60R3K3C6具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(RDS(on)),仅为3.1mΩ,可有效降低导通损耗。
  2. 高电流处理能力,支持高达60A的连续漏极电流。
  3. 支持高频工作,最高可达1MHz,非常适合高开关频率的应用场景。
  4. 小巧的PQFN4x4封装设计,在保证散热性能的同时节省PCB空间。
  5. 优秀的热性能和电气性能,确保在高温环境下仍能稳定运行。
  6. 内置反向恢复二极管,减少开关损耗并提高整体效率。
  7. 符合RoHS标准,环保无铅工艺。
  8. 可靠性高,经过严格的质量测试,适用于工业级和消费级应用。

应用

IPD60R3K3C6广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动
  4. 电池管理系统(BMS)
  5. 工业自动化控制
  6. 消费类电子产品中的电源管理
  7. 充电器和适配器
  8. LED照明驱动
  由于其高效的特性和小尺寸封装,IPD60R3K3C6特别适合需要高功率密度和紧凑设计的场合。

替代型号

IPB060N03L4-02A, IRF3710TRPBF

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IPD60R3K3C6参数

  • 数据列表IPD60R3K3C6
  • 产品培训模块CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列CoolMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.3 欧姆 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3.5V @ 40µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs4.6nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds93pF @ 100V
  • 功率 - 最大18.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装PG-TO252-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IPD60R3K3C6TRSP000799130