IPD60R3K3C6是一款由Infineon(英飞凌)生产的MOSFET功率晶体管,该器件采用了先进的TRENCH技术,具有极低的导通电阻和高效率。其主要应用领域包括开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等。IPD60R3K3C6属于OptiMOS系列,具备出色的热性能和电气特性,适合高频率和高功率密度的设计需求。
该器件采用PQFN4x4封装形式,体积小巧,便于在紧凑型电路板中使用,同时保证了良好的散热性能。
型号:IPD60R3K3C6
制造商:Infineon
封装:PQFN4x4
VDS(漏源电压):30V
RDS(on)(导通电阻):3.1mΩ(典型值,25°C条件下)
ID(连续漏极电流):60A
fSW(最大工作频率):1MHz
Qg(栅极电荷):7nC
Eoss(输出电容能量损耗容):1030pF
RthJC(结至外壳热阻):1°C/W
IPD60R3K3C6具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(RDS(on)),仅为3.1mΩ,可有效降低导通损耗。
2. 高电流处理能力,支持高达60A的连续漏极电流。
3. 支持高频工作,最高可达1MHz,非常适合高开关频率的应用场景。
4. 小巧的PQFN4x4封装设计,在保证散热性能的同时节省PCB空间。
5. 优秀的热性能和电气性能,确保在高温环境下仍能稳定运行。
6. 内置反向恢复二极管,减少开关损耗并提高整体效率。
7. 符合RoHS标准,环保无铅工艺。
8. 可靠性高,经过严格的质量测试,适用于工业级和消费级应用。
IPD60R3K3C6广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动
4. 电池管理系统(BMS)
5. 工业自动化控制
6. 消费类电子产品中的电源管理
7. 充电器和适配器
8. LED照明驱动
由于其高效的特性和小尺寸封装,IPD60R3K3C6特别适合需要高功率密度和紧凑设计的场合。
IPB060N03L4-02A, IRF3710TRPBF